[發(fā)明專利]一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010145203.1 | 申請日: | 2010-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN102214663A | 公開(公告)日: | 2011-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 冀永輝;丁川;劉明;王琴;龍世兵;閆鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光學(xué) 成像 器件 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,該結(jié)構(gòu)是由多個結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件構(gòu)成的成像陣列,該多個成像器件被分為若干組,每一組中的成像器件具有相同的數(shù)目和相同的排列結(jié)構(gòu),且每組成像器件均包括一個參考單元和至少一個成像單元,該參考單元和成像單元是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件,每組成像器件中的參考單元和成像單元相距近,工藝偏差小,在執(zhí)行復(fù)位、成像、讀取操作時受到的共模干擾相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述成像器件是基于傳統(tǒng)的浮柵型成像器件結(jié)構(gòu),由硅襯底B、源極S、漏極D、浮動?xùn)艠OFG、控制柵極CG構(gòu)成,其中,硅襯底B位于器件最下層;源極S和漏極D位于硅襯底B上,且相距一定距離;浮動?xùn)艠OFG位于器件結(jié)構(gòu)的中間層,在硅襯底之上,且在源極S和漏極D之間;控制柵極CG位于器件結(jié)構(gòu)的最上層,在浮動?xùn)艠OFG之上;該硅襯底B與該浮動?xùn)艠OFG之間,以及該浮動?xùn)艠OFG與該控制柵極CG之間都采用絕緣層隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述每組成像器件包括一個參考單元C0和一個成像單元C1,該參考單元C0和成像單元C1是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件,該參考單元C0和該成像器件C1相鄰排列且位于成像陣列中的同一列或同一行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述每組成像器件包括一個參考單元和兩個成像單元,該參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件,該參考單元C0位于第一成像單元C1與第二成像單元C2的中間,第一成像單元C?1和第二成像單元C2相對于參考單元C0呈對稱分布,并且參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述每組成像器件包括一個參考單元和三個成像單元,該參考單元C0、第一成像單元C1、第二成像單元C2和第三成像單元C3是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件,該參考單元C0位于第一成像單元C1與第二成像單元C2的中間,第一成像單元C1和第二成像單元C2相對于參考單元C0呈對稱分布,并且參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上;
若參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2排列在同一行上,第三成像單元C3則排列在位于參考單元C0同一列上且與參考單元C0相鄰的位置;
若參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2位于同一列上,第三成像單元C3則位于參考單元C0的同一行上且與參考單元C0相鄰的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述每組成像器件包括一個參考單元和四個成像單元,該參考單元C0、第一成像單元C1、第二成像單元C2、第三成像單元C3和第四成像單元C4是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件,該參考單元C0位于第一成像單元C1與第二成像單元C2的中間,第一成像單元C1和第二成像單元C2相對于參考單元C0呈對稱分布,并且參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上;若參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2排列在同一行上,第三成像單元C3則排列在位于參考單元C0同一列上且與參考單元C0相鄰的位置;若參考單元C0、第一成像單元C1和第二成像單元C2位于同一列上,第三成像單元C3則位于參考單元C0的同一行上且與參考單元C0相鄰的位置;
第四成像單元C4位于與參考單元C0和成像單元C3的同一行或同一列上,且位置與成像單元C3一起相對于參考單元C0對稱,因此,第一成像單元C1、參考單元C0、第二成像單元C2的分布與第三成像單元C3、參考單元C0、第四成像單元C4的分布都位于同一條直線上;若第一成像單元C1、參考單元C0、第二成像單元C2分布于同一行上,則第三成像單元C3、參考單元C0、第四成像單元C4分布于同一列上;反之若第一成像單元C1、參考單元C0、第二成像單元C2分布于同一列上,則第三成像單元C3、參考單元C0、第四成像單元C4分布于同一行上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述每組成像器件包括一個參考單元和至少五個的成像單元,而每組中的成像單元的部分分布在與參考單元相同的列上,而其他成像單元則分布在與參考單元相同的行上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述每組成像器件包括九個完全相同的基于傳統(tǒng)的浮柵型器件結(jié)構(gòu)的成像器件,這九個成像器件構(gòu)成一個三行、三列的陣列,其中位于最中心的,第二行、第二列的器件作為這一組器件的參考單元C0,其余八個器件作為成像單元。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010145203.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:輪式裝載機
- 下一篇:液壓混合系統(tǒng)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





