[發明專利]一種多層單元閃存讀寫方法、裝置及存儲設備

無效

• 申請號: 201010144789.X
• 申請日: 2010-04-06
• 公開（公告）號: CN102214481A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 李志雄;鄧恩華
• 申請（專利權）人: 深圳市江波龍電子有限公司
• 主分類號: G11C8/00
• 分類號: G11C8/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于閃存技術領域，尤其涉及一種多層單元閃存讀寫方法、裝置及存儲設備。

背景技術

閃存按照其內部構架可以分為單層單元閃存，每個單元(cell)中存儲1個位(bit)的信息；多層單元閃存，每個單元(cell)至少存儲2個位(bit)信息，其中，多層單元閃存包括2bit/cell、3bit/cell以及以后出現的更多位元的閃存。

單層單元閃存的數據寫入是通過對浮柵的電荷加電壓，經過源極將所存儲的電荷消除，通過這樣的方式，以存儲一個信息位(1代表消除，0代表寫入)。而多層單元閃存則是在浮柵中使用不同程度的電荷，因此能在單一晶體管中存儲多個位的信息，并通過單元的寫入與感應的控制，在單一晶體管中產生多種狀態，對于單層單元閃存及多層單元閃存而言，同樣容量的單元要存儲1位與存儲多位的穩定度和復雜度不同，單層單元閃存比多層單元閃存穩定，且單層單元閃存寫入速度較快。從數據存儲機制方面看，閃存內部包含多個塊，每個塊由多個頁構成。單層單元閃存的所有頁都是快速且穩定可靠的，而多層單元閃存的塊內只有一部分頁是快速且穩定可靠的，結構跟單層單元閃存內的頁類似。例如，以2bit/cell的閃存為例，一個單元包含兩個位(0，1位)，0位稱為最低有效位，1位稱為非最低有效位，可產生四種狀態(00，01，11，10)，以寫入塊內不同的頁內，每個單元的兩位分別寫入塊中相對應的頁，其中，寫入最低有效位的頁稱為最低有效位頁，寫入其他非最低有效位的頁稱為非最低有效位頁，所述最低有效位頁為快速且穩定可靠的頁，其結構與單層單元閃存中的頁類似，并且同一型號的閃存其最低有效位頁在所有的塊內的分布都是一樣的。同理，3bit/cell的閃存，一個單元包含3個位(0，1，2位)，0位稱為最低有效位，1位和2位稱為非最低有效位，其中寫入0位的頁為最低有效位頁，寫入1位和2位的頁為非最低有效位頁，其中，用最低有效位頁來描述多層單元閃存中快速且穩定可靠的頁，用非最低有效位頁來描述多層單元閃存中其它頁。

現有技術的缺點是因工藝不成熟或者其他原因使多層單元閃存性能不穩定，并且相應的多層單元閃存存儲設備存儲性能不穩定。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種多層單元閃存讀寫方法，旨在解決現有技術中多層單元閃存性能不穩定，且相應的多層單元閃存存儲設備性能不穩定的問題。

本發明實施例是這樣實現的，一種多層單元閃存讀寫方法，所述方法包括下述步驟：

計算多層單元閃存中最低有效位頁對應的存儲地址，將數據寫入所述最低有效位頁對應的存儲地址。

本發明實施例的另一目的在于提供一種多層單元閃存讀寫裝置，所述裝置包括：

數據讀寫單元，用于計算多層單元閃存中最低有效位頁對應的存儲地址，將數據寫入所述最低有效位頁對應的存儲地址。

本發明實施例的另一目的在于提供一種基于多層單元閃存的存儲設備，所述存儲設備包括多層單元閃存讀寫裝置，所述裝置包括：

數據讀寫單元，用于計算多層單元閃存中最低有效位頁對應的存儲地址，將數據寫入所述最低有效位頁對應的存儲地址。

在本發明實施例中，通過計算多層單元閃存中最低有效位頁對應的存儲地址，將數據寫入最低有效位頁對應的存儲地址，提高了多層單元閃存的穩定性，由于只對多層單元閃存中穩定可靠的最低有效位頁讀寫，相應的可以提高多層單元閃存存儲設備的穩定性。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的多層單元閃存讀寫方法的實現流程圖；

圖2是本發明實施例提供的多層單元閃存讀寫裝置的結構圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

在本發明實施例中，通過計算多層單元閃存中最低有效位頁對應的存儲地址，將數據寫入最低有效位頁對應的存儲地址，提高了多層單元閃存的穩定性。

在本發明實施例中，用最低有效位頁來描述多層單元閃存中快速且穩定可靠的頁，用非最低有效位頁來描述多層單元閃存中其它的頁，同一型號的閃存其最低有效位頁在存儲塊內的分布是可以由閃存廠商提供的，且最低有效位頁在所有的存儲塊內的分布都是一樣的。

在本發明實施例中，當有數據存儲時，將數據寫入最低有效位頁對應的存儲地址，由于最低有效位頁是穩定可靠的，提高了多層單元閃存的穩定性，同時還可以提高多層單元閃存的讀寫速度，降低多層單元的功耗。此外，由于穩定性的提高，還可以將多層單元閃存應用到相對可靠、穩定性、功耗、速度要求非常嚴格的系統中。