[發明專利]一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法

無效

• 申請號: 201010144508.0
• 申請日: 2010-04-12
• 公開（公告）號: CN101775632A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發明（設計）人: 劉福;張艷鵬;王福平;辛鐵柱;于德珍
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26;C25D11/34
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法是通過以下步驟實現的：一、對醫用鎳鈦合金依次進行去氧化膜、除油處理；二、配制電解液：8～15g/L的鋁酸鈉、6～12g/L的甘油磷酸鈣或者乙二胺四乙酸鈣鈉、4～8g/L的磷酸鈉，溶劑為去離子水；三、以步驟一處理后的醫用鎳鈦合金為陽極，用夾具固定浸入步驟二配置的電解液中，不銹鋼電解液槽為陰極，采用雙向脈沖電源，設置電參數為：正脈沖電壓為300～500V、負脈沖電壓為0～30V、電流密度為0.2～5A/cm²、脈沖頻率30～500Hz、占空比為45％，進行微弧氧化3～30min；四、將經步驟三處理后的鎳鈦合金放入水熱高壓釜中，然后以2～10℃/min的升溫速率升溫至200～300℃，保溫2～10h，保溫過程中控制水熱高壓釜內壓力為2～12MPa，即在鎳鈦合金表面制備得羥基磷灰石膜層。

2.根據權利要求1所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟二中配制電解液：10～13g/L的鋁酸鈉、6～8g/L的乙二胺四乙酸鈣鈉、5～7g/L的磷酸鈉。

3.根據權利要求1所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟二中配制電解液：10～13g/L的鋁酸鈉、7～10g/L的甘油磷酸鈣、4.5～6.5g/L的磷酸鈉。

4.根據權利要求1、2或3所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟三中設置電參數為：正脈沖電壓為350～450V、負脈沖電壓為0～10V、脈沖頻率60～300Hz、占空比為45％。

5.根據權利要求4所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟三中進行微弧氧化5～20min。

6.根據權利要求1、2、3或5所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟四中保溫4～8h。

7.根據權利要求6所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟四中保溫過程中控制水熱高壓釜內壓力為6～10MPa。

8.根據權利要求1、2、3、5或7所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于以4～8℃/min的升溫速率升溫至230～280℃。

9.根據權利要求1、2、3、5或7所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟二配置的電解液采用如下電解液代替：8～15g/L的鋁酸鈉、6～12g/L的甘油磷酸鈣或者乙二胺四乙酸鈣鈉、6～10g/L的次亞磷酸鈉，溶劑為去離子水。

10.根據權利要求1、2、3、5或7所述的一種直接在醫用鎳鈦合金表面制備羥基磷灰石膜層的方法，其特征在于步驟二配置的電解液采用如下電解液代替：8～15g/L的鋁酸鈉、6～12g/L的甘油磷酸鈣或者乙二胺四乙酸鈣鈉、4～10g/L的多聚磷酸鈉，溶劑為去離子水。