[發明專利]發光二極管結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010144359.8
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN102201511A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 余國輝;盧宗宏;朱長信
• 申請（專利權）人: 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光二極管結構，包含：

p型電極；

接合基板，設于該p型電極上；

p型半導體層，設于該接合基板上；

發光層，設于該p型半導體層上；

n型半導體層，設于該發光層上；

外延成長基板，設于該n型半導體層上，其中該外延成長基板包含一開口貫穿該外延成長基板；以及

n型電極，設于該開口中，且與該n型半導體層電連接。

2.如權利要求1所述的發光二極管結構，還包含接合層，其接合在該接合基板與該p型半導體層之間。

3.如權利要求1所述的發光二極管結構，還包含反射層，其介于該接合基板與該p型半導體層之間。

4.如權利要求1所述的發光二極管結構，還包含p型接觸層，其介于該接合基板與該p型半導體層之間。

5.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該外延成長基板還包含懸突部，其突設于該開口中。

6.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中該開口暴露出該n型半導體層的一部分，且該n型電極設于該n型半導體層的該部分上。

7.如權利要求1所述的發光二極管結構，還包含：

絕緣層，位于該開口的下方的該接合基板上；以及

金屬層，位于該絕緣層上，其中該開口暴露出該金屬層。

8.如權利要求7所述的發光二極管結構，其中該n型電極設于該金屬層上。

9.一種發光二極管結構的制造方法，包含：

提供一外延成長基板，其中該外延成長基板的一表面依序覆蓋有n型半導體層、發光層與p型半導體層；

接合一接合基板的第一表面與該p型半導體層，該接合基板還包含第二表面相對于該第一表面；

形成一通道貫穿該外延成長基板，以暴露出該n型半導體層的至少一部分；

進行一蝕刻步驟，利用一蝕刻劑經由該通道而蝕刻該n型半導體層的該部分，使得該外延成長基板的一部分懸突于該n型半導體層上；

移除至少部分的該外延成長基板的懸突的該部分，而在該外延成長基板中形成一開口，該開口暴露出部分的該n型半導體層；

形成一n型電極在該n型半導體層暴露的該部分上；以及

形成一p型電極在該接合基板的該第二表面上。

10.一種發光二極管結構的制造方法，包含：

提供一外延成長基板，其中該外延成長基板的一表面依序覆蓋有n型半導體層、發光層與p型半導體層；

進行一圖案化步驟，以移除部分的該p型半導體層與部分的該發光層，直至至少暴露出部分的該n型半導體層，而形成一第一開口；

形成一金屬層在該第一開口的一底面上，其中該金屬層與該n型半導體層電連接，且該外延成長基板的該表面與該金屬層之間設有一蝕刻材料層；

形成一絕緣層填充該第一開口；

接合一接合基板的第一表面與該p型半導體層，該接合基板還包含第二表面相對于該第一表面；

形成一通道貫穿該外延成長基板，以暴露出該蝕刻材料層的至少一部分；

進行一蝕刻步驟，利用一蝕刻劑經由該通道而蝕刻該蝕刻材料層，使得該外延成長基板的一部分懸突于該金屬層上；

移除至少部分的該外延成長基板的懸突的該部分，而在該外延成長基板中形成一第二開口，該第二開口暴露出部分的該金屬層；

形成一n型電極在該金屬層暴露的該部分上；以及

形成一p型電極在該接合基板的該第二表面上。