[發明專利]在基材上形成穿導孔的方法及具有穿導孔的基材

有效

• 申請號: 201010144216.7
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN102005398A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 王盟仁;楊國賓
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種在基材上形成穿導孔的方法，包括：

(a)提供一基材，該基材具有一第一表面及一第二表面；

(b)形成一開槽于該基材的第一表面，該開槽具有一側壁及一底面；

(c)形成一導電金屬于該開槽的該側壁與該底面，而形成一中心槽；

(d)形成一環槽于該基材的第一表面，該環槽圍繞該導電金屬；

(e)形成一絕緣材料于該中心槽及該環槽內；及

(f)去除部分該基材的第二表面，以顯露該導電金屬及該絕緣材料。

2.如權利要求1的方法，其中該步驟(d)包括：

(d1)形成一第二光阻層于該基材的第一表面；

(d2)于該第二光阻層上形成一第二開口，該第二開口的位置相對于該開槽的位置，且該第二開口的直徑大于該開槽的直徑；及

(d3)根據該第二開口于該基材上形成該環槽。

3.如權利要求1的方法，其中該步驟(d)中，該環槽并未貫穿該基材。

4.如權利要求1的方法，其中該步驟(d)中，該環槽的深度小于或等于該導電金屬的高度。

5.如權利要求1的方法，其中該步驟(e)包括：

(e1)形成一聚合物于該中心槽及該環槽的相對位置；及

(e2)以真空吸附方式將該聚合物吸入該中心槽及該環槽內，以形成該絕緣材料。

6.如權利要求1的方法，其中該步驟(e)包括：

(e1)形成數個第一排氣孔及數個第二排氣孔，該等第一排氣孔連通該中心槽及該基材的第二表面，該等第二排氣孔連通該環槽及該基材的第二表面；

(e2)形成一聚合物于該中心槽及該環槽的相對位置；及

(e3)填入該聚合物至該中心槽、該環槽、該等第一排氣孔及該等第二排氣孔內，以形成該絕緣材料。

7.如權利要求1的方法，其中該步驟(f)之后更包括一形成至少一重布層于該基材的該第一表面及該第二表面的其一或兩者的步驟。

8.一種在基材上形成穿導孔的方法，包括：

(a)提供一基材，該基材包括一基材本體及一線路層，該基材本體具有一第一表面及一第二表面，該線路層位于該基材本體的第二表面；

(b)形成一開槽于該基材本體的第一表面，該開槽具有一側壁及一底面，其中該開槽貫穿該基材本體，且顯露該線路層；

(c)形成一導電金屬于該開槽的該側壁與該底面，而形成一中心槽，其中該導電金屬接觸該線路層；

(d)形成一環槽于該基材本體的第一表面，該環槽圍繞該導電金屬；及

(e)形成一絕緣材料于該中心槽及該環槽內。

9.如權利要求8的方法，其中該步驟(d)包括：

(d1)形成一第二光阻層于該基材本體的第一表面；

(d2)于該第二光阻層上形成一第二開口，該第二開口的位置相對于該開槽的位置，且該第二開口的直徑大于該開槽的直徑；及

(d3)根據該第二開口于該基材本體上形成該環槽。

10.如權利要求8的方法，其中該步驟(e)包括：

(e1)形成一聚合物于該中心槽及該環槽的相對位置；及

(e2)以真空吸附方式將該聚合物吸入該中心槽及該環槽內，以形成該絕緣材料。

11.如權利要求8的方法，其中該步驟(e)之后更包括一形成一重布層于該基材本體的該第一表面的步驟。

12.一種具有穿導孔的基材，包括：

一基材，包括一基材本體及一線路層，該基材本體具有一第一表面、一第二表面及一穿導孔，該穿導孔貫穿該基材本體，該線路層位于該基材本體的第二表面；

一導電金屬，位于該穿導孔內，該導電金屬具有一環狀側部及一底部，其中該環狀側部內定義為一中心槽，一環槽形成于該環狀側部及該穿導孔的側壁之間，該底部接觸該線路層；及

一絕緣材料，位于該中心槽及該環槽內。

13.如權利要求12的基材，更包括一重布層，位于該基材本體的第一表面，其中該重布層接觸該導電金屬。

14.如權利要求13的基材，更包括一鈍化層，位于該基材本體的第一表面，其中該鈍化層具有一開口，該重布層位于該開口內。

15.如權利要求12的基材，其中絕緣材料更位于該基材本體的第一表面，其中該絕緣材料具有一開口，該重布層位于該開口內。