[發(fā)明專利]柵驅(qū)動(dòng)晶閘管以及靜電保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010144064.0
• 申請(qǐng)日: 2010-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN102208408A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L23/60;H02H9/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，包括：

晶閘管，包括陽(yáng)極、陰極以及控制柵；所述控制柵用于調(diào)整晶閘管的觸發(fā)電壓；

柵驅(qū)動(dòng)電路，包括RC耦合回路、反相器電路以及反饋PMOS；

所述RC耦合回路耦接于晶閘管的陽(yáng)極以及陰極；

所述反相器電路的輸入端與RC耦合回路的耦合中點(diǎn)連接，輸出端與晶閘管的控制柵連接；所述反相器電路包括至少兩級(jí)串接的反相器單元，各反相器單元的高位端連接至晶閘管的陽(yáng)極，低位端連接至晶閘管的陰極；

所述反饋PMOS的柵極連接至反相器電路的輸出端，漏極連接至反相器電路中最后一級(jí)反相器單元的輸入端，源極連接至晶閘管的陽(yáng)極。

2.如權(quán)利要求1所述的柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，所述RC耦合回路中電阻連接晶閘管的陰極，電容連接晶閘管的陽(yáng)極。

3.如權(quán)利要求2所述的柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，所述反相器電路中包括偶數(shù)級(jí)的反相器單元。

4.如權(quán)利要求1所述的柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，所述RC耦合回路中電容連接晶閘管的陰極，電阻連接晶閘管的陽(yáng)極。

5.如權(quán)利要求4所述的柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，所述反相器電路中包括奇數(shù)級(jí)的反相器單元。

6.如權(quán)利要求1所述的柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，所述各反相器單元的規(guī)格相同。

7.如權(quán)利要求1所述的柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路，其特征在于，所述反相器單元為CMOS反相器。

8.一種靜電保護(hù)電路，其特征在于，包括靜電發(fā)生端、柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路、靜電釋放端；所述靜電發(fā)生端通過柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路與靜電釋放端連接，其中柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路為權(quán)利要求1所述柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路。

9.如權(quán)利要求8所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，當(dāng)所述靜電發(fā)生端所產(chǎn)生的靜電電勢(shì)高于靜電釋放端，將所述柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路的陽(yáng)極連接至靜電發(fā)生端，陰極連接至靜電釋放端；當(dāng)所述靜電發(fā)生端所產(chǎn)生的靜電電勢(shì)低于靜電釋放端，將所述柵驅(qū)動(dòng)晶閘管電路的陰極連接至靜電發(fā)生端，陽(yáng)極連接至靜電釋放端。

10.如權(quán)利要求8所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，將所述靜電釋放端接地。