[發明專利]硅單晶的拉制方法有效
| 申請號： | 201010143832.0 | 申請日： | 2010-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN101922041A | 公開（公告）日： | 2010-12-22 |
| 發明（設計）人： | M·貝爾 | 申請（專利權）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B15/20 | 分類號： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于輝 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅單晶 拉制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.從容納在坩堝中的熔體拉制硅單晶的方法，其包括：
將晶種浸入熔體；
通過在一拉晶速度下從熔體抬高晶種使單晶在晶種上結晶；
將單晶的直徑拓寬至錐形部分中的定點直徑，包括控制拉晶速度以在錐形部分中導致單晶生長前沿的曲率倒轉。
2.權利要求1的方法，其包括：
將拉晶速度從初始速度降低到低于初始速度至少40％的較低的拉晶速度，然后將拉晶速度從所述較低的拉晶速度升高到最終速度，在此過程中抬高晶種直至達到定點直徑。
3.權利要求2的方法，其特征在于所述最終速度小于所述初始速度。
4.權利要求2或權利要求3的方法，其特征在于直到錐形部分的直徑已達到定點直徑的至少50％才在較低的拉晶速度下抬高晶種。
5.權利要求1到4任意一項的方法，其特征在于使錐形部分具有不小于60°且不大于90°的頂角α。
6.權利要求1到5任意一項的方法，其特征在于從錐形部分到柱形部分的過渡處的外角β不小于5°且不超過25°。
7.通過權利要求1到6任意一項的方法生產的硅單晶。
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