[發明專利]一種基于電鍍工藝制備銦焊球陣列方法

有效

• 申請號: 201010143745.5
• 申請日: 2010-04-09
• 公開（公告）號: CN101847592A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 黃秋平;羅樂;徐高衛;袁媛
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L31/18
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 潘振甦

1.一種基于電鍍工藝制備銦焊球陣列的方法，其特征在于在制作種子層之前先進行一次薄膠光刻，然后制作種子層，在需要沉積銦的地方，涂覆厚正光刻膠，光刻出“模子”，形成薄膠/種子層/厚膠的結構，以電鍍的方法在“模子”中沉積所需高度的銦柱，借助于超聲將種子層剝離，最后將制作有銦凸點的芯片在溫度可控的退火爐中實現銦凸點回流，獲得銦焊球陣列。

2.按權利要求1所述的方法，其特征在于具體工藝步驟為：

A在硅片上腐蝕出鋁焊盤

(a)在硅片上氧化一層SiO₂氧化層作為絕緣層；

(b)在氧化后的硅片上濺射的鋁膜；

(c)涂覆并光刻正膠，用鋁腐蝕液腐蝕出鋁焊盤；

B鈍化層開口

(a)用離子增強型氣相沉積法沉積一層SiO₂作為鈍化層；

(b)光刻后用反應離子刻蝕或離子束刻蝕方法，在金屬鋁焊盤上腐蝕出孔；

C制作種子層；

(a)在鈍化層開口的硅片上涂覆薄膠并光刻，光刻完畢后對圓片清邊；

(b)濺射種子層；

D厚膠光刻

(a)在需要沉積銦的地方涂覆厚度為10μm-40μm的厚正光刻膠，先光刻出“模子”，光刻完成后清邊；

E電鍍銦凸點

(a)將步驟D制得的芯片放在銦電鍍槽中進行電鍍，將銦柱電鍍至所需高度；

F去除種子層并回流銦凸點

(a)將電鍍完成的硅片放在丙酮中去膠，確認光刻膠去除后借助超聲將種子層去除；

(b)將制作有銦凸點的硅片在退火爐中進行回流，回流過程中最高溫度在170℃-200℃之間。

3.按權利要求2所述的方法，其特征在于：

①步驟A中作為絕緣層的SiO₂氧化層厚度為

②步驟A中涂覆的正膠厚度為1-2μm，型號為S1912。

4.按權利要求2所述的方法，其特征在于步驟B中作為鈍化層的SiO₂厚度為

5.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

①步驟C中涂覆的薄膠厚度為2-3μm；薄膠的型號為S1912；

②步驟C中所述的種子層為Cr/Au、Ti/Ni/An或Ti/Pt/Au，種子層的總厚度為

6.按權利要求5所述的方法，其特征在于Ti/Pt/Au種子層的總厚度為其中Ti層為Pt層為Au層為

7.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

①涂覆的正光刻膠為AZ?9260，涂覆時的轉速為600rpm，涂覆時間為20-40s；

②光刻時光強為18-20mw/cm²，曝光時間為90-120s。

8.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于以5mA-15mA/cm²的電流密度沉積銦柱到所需的高度。

9.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于在將制作有銦凸點的硅片干燥后先涂覆助焊劑后，將硅片放在溫度可控的退火爐中進行回流；所述的助焊劑為美國indium公司的5RMA。