[發(fā)明專利]半導體晶片的生產方法和處理方法

有效

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• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN101920477A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發(fā)明（設計）人: G·皮奇
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.處理半導體晶片的方法，其包括拋光處理A和拋光處理B；拋光處理A對半導體表面的兩側同時進行材料去除處理，其中使用不含具有研磨作用的物質的拋光襯墊，并加入含有具有研磨作用的物質的拋光劑；拋光處理B對半導體晶片的一側或兩側進行材料去除處理，其中使用具有微結構表面且不含與半導體晶片接觸并比半導體材料更硬的材料的拋光襯墊，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物質的拋光劑。

2.權利要求1的方法，其中所述半導體晶片由硅組成，并且在所述拋光處理B中使用的與半導體表面接觸的拋光襯墊的所有材料的莫氏硬度為6或更小。

3.權利要求2的方法，其中所述拋光處理A中加入的拋光劑含有二氧化硅溶膠(SiO₂)。

4.權利要求2和3任何一項的方法，其中所述拋光處理B中加入的拋光劑的pH值通過加入氫氧化鉀(KOH)或碳酸鉀(K₂CO₃)來設定。

5.權利要求1到4任意一項的方法，其中所述拋光處理B中使用的拋光襯墊的微結構由設置于襯墊表面上的均勻元件形成，其中所述元件的高度在1μm和1mm之間，并且所述元件之間的距離在10μm和10mm之間。

6.權利要求5的方法，其中所述元件的高度在10μm和250μm之間，并且所述元件之間的距離在50μm和5mm之間。

7.權利要求2到6任意一項的方法，其中所述拋光處理A在所述拋光處理B之前進行。

8.權利要求2到6任意一項的方法，其中所述拋光處理A在所述拋光處理B之后進行。

9.權利要求7的方法，其中所述拋光處理A先產生平凸或雙凸半導體晶片，然后拋光處理B產生平面平行的半導體晶片。

10.權利要求9的方法，其中在所述拋光處理A期間，所述半導體晶片位于固定設備內，所述固定設備具有圍繞半導體晶片邊緣的卡環(huán)以防止半導體晶片在拋光處理期間離開所述固定設備，其中在拋光處理A結束后，所述卡環(huán)伸出在拋光處理A期間半導體晶片被拋光的一側所在的平面外。

11.權利要求9的方法，其中所述卡環(huán)懸在半導體表面被拋光的一側之上0.1μm到0.1mm之間。

12.權利要求9到11任意一項的方法，其中在所述拋光處理A期間，從所述半導體晶片去除1μm和20μm之間的材料。

13.權利要求9到11任意一項的方法，其中在所述拋光處理A期間，從所述半導體晶片去除總共3μm和10μm之間的材料。

14.生產半導體晶片的方法，其包括下列順序的步驟：

(a)將半導體單晶分成晶片；

(b)借助于除碎屑處理同時處理半導體晶片的兩側；

(c)拋光半導體晶片，其包括拋光處理A和拋光處理B；拋光處理A對半導體表面的兩側同時進行材料去除處理，其中使用不含具有研磨作用的物質的拋光襯墊，并加入含有具有研磨作用的物質的拋光劑；所述拋光處理B對半導體表面的一側或兩側進行材料去除處理，其中使用具有微結構表面且不含與半導體表面接觸并比半導體材料更硬的材料的拋光襯墊，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物質的拋光劑；

(d)化學機械拋光半導體晶片的一側，去除不到1μm。

15.權利要求14的方法，其中所述步驟(b)由下列處理組成：處理多個半導體晶片，其中每個半導體晶片以自由活動的方式位于借助于輥設備旋轉的多個載體之一的切口中，從而在擺線軌道上進行處理，其中半導體晶片在兩個旋轉的加工盤之間以材料去除的方式進行處理，其中每個加工盤包含含有粘合的研磨劑的加工層。

16.權利要求14的方法，其中所述步驟(b)是平面平行精磨處理。

17.權利要求14的方法，其中所述步驟(b)由下列處理組成：在兩個杯狀研磨盤之間研磨半導體晶片，其中半導體晶片由使半導體晶片旋轉的薄導向環(huán)沿徑向引導，并由設置于半導體晶片前側和后側的水墊或空氣墊沿軸向引導，所述杯狀研磨盤沿著反方向旋轉并對稱地到達半導體晶片。