[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201010143282.2
• 申請日: 2010-03-18
• 公開（公告）號: CN101794713A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 沈光仁;陳培銘;陳俊雄;黃偉明
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

在一基板上形成一柵極；

在該基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋該柵極；

在該柵絕緣層上依序形成一通道材料層、一歐姆接觸材料層及一圖案化光致抗蝕劑層，其中該圖案化光致抗蝕劑層位于該柵極上方；

以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，圖案化該通道材料層及該歐姆接觸材料層，以形成一通道層及一位于該通道層與該圖案化光致抗蝕劑層之間的歐姆接觸層；

在該圖案化光致抗蝕劑層、該通道層的側面、該歐姆接觸層的側面及該柵絕緣層上形成一介電層；

移除該圖案化光致抗蝕劑層及與該圖案化光致抗蝕劑層接觸的部分該介電層，以使該歐姆接觸層被暴露；以及

在部分該介電層及部分該歐姆接觸層上形成一源極及一漏極，并將未被該源極及該漏極覆蓋的該歐姆接觸層移除。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中移除該圖案化光致抗蝕劑層及與該圖案化光致抗蝕劑層接觸的部分該介電層的方法包括掀離制作工藝(lift-offprocess)。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在該圖案化光致抗蝕劑層被移除之后，該介電層與該歐姆接觸層的側面連接，且該介電層與該歐姆接觸層不重疊。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，還包括形成一保護層，以覆蓋該源極、該漏極、部分該介電層及部分該通道層。

5.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

在一基板上依序形成一通道材料層、一歐姆接觸材料層及一圖案化光致抗蝕劑層；

以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，圖案化該通道材料層及該歐姆接觸材料層，以形成一通道層及一位于該通道層與該圖案化光致抗蝕劑層之間的歐姆接觸層；

在該圖案化光致抗蝕劑層、該通道層的側面及該歐姆接觸層的側面上形成一介電層；

移除該圖案化光致抗蝕劑層及與該圖案化光致抗蝕劑層接觸的部分該介電層，以使該歐姆接觸層被暴露；

在部分該介電層及部分該歐姆接觸層上形成一源極及一漏極，并將未被該源極及該漏極覆蓋的該歐姆接觸層移除；

在該基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋該源極、該漏極、部分該介電層及部分該通道層；以及

在該柵絕緣層上形成一柵極，其中該柵極位于該通道層上方。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其中移除該圖案化光致抗蝕劑層及與該圖案化光致抗蝕劑層接觸的部分該介電層的方法包括掀離制作工藝(lift-off?process)。

7.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其中在該圖案化光致抗蝕劑層被移除之后，該介電層與該歐姆接觸層的側面連接，且該介電層與該歐姆接觸層不重疊。

8.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，還包括形成一保護層，以覆蓋該柵極及該柵絕緣層。

9.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其中該介電層還包括覆蓋于該基板的部分區域上。

10.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，在形成該通道材料層之前，還包括在該基板上形成一緩沖層。

11.如權利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中該介電層還包括覆蓋于該緩沖層的部分區域上。

12.一種薄膜晶體管，適于配置于一基板上，該薄膜晶體管包括：

通道層，具有一上表面以及一側面；

歐姆接觸層，配置于該通道層的該上表面的部分區域上；

介電層，配置于該通道層的該側面上，且該介電層與該歐姆接觸層不重疊；

源極及一漏極，配置于該歐姆接觸層及該介電層的部分區域上，而該介電層的部分區域未被該源極及該漏極所覆蓋；

柵極，位于該通道層上方或下方；以及

柵絕緣層，配置于該柵極與該通道層之間。

13.如權利要求12所述的薄膜晶體管，其中當該柵極位于該通道層下方，該柵絕緣層配置于該基板上以覆蓋該柵極，且該介電層從該通道層的該側面延伸至該基板上。

14.如權利要求13所述的薄膜晶體管，還包括一保護層，以覆蓋該源極、該漏極、部分該介電層及部分該通道層。