[發明專利]基于紅外光干涉技術的MEMS器件形貌測量方法

無效

• 申請號: 201010142646.5
• 申請日: 2010-04-09
• 公開（公告）號: CN101806585A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 薛晨陽;丑修建;張文棟;熊繼軍;劉俊;牛康康;劉毅;劉君
• 申請（專利權）人: 中北大學
• 主分類號: G01B11/24
• 分類號: G01B11/24
• 代理公司: 山西太原科衛專利事務所 14100
• 代理人: 朱源;駱洋

1.一種基于紅外光干涉技術的MEMS器件形貌測量方法，以下列步驟實現：

1)、對待測MEMS器件(7)進行測量前準備：在不損傷待測MEMS器件(7)待測表面形貌的基礎上，在待測MEMS器件(7)待測表面進行阻止紅外線透射的無損處理；并在處理后，置于干涉儀掃描平臺上，且使待測MEMS器件(7)的待測表面面向干涉儀掃描平臺；

2)、應用干涉儀對待測MEMS器件進行測量：

a、以紅外光光源(1)作為測量光源，由紅外光光源(1)發出的紅外光經第一光學透鏡(2)調整后變為平行光束，平行光束通過分光器件(3)分成沿參考光路傳播的參考光束和沿測量光路傳播的測量光束，參考光束經參考光路的光學透鏡(4)折射、參考鏡(5)鏡面反射后原路返回，測量光束經測量光路的光學透鏡(6)折射、透射待測MEMS器件(7)后，照射經無損處理后的待測MEMS器件(7)待測表面，由待測表面反射后原路返回，水平調整參考鏡(5)的位置，使待測MEMS器件(7)待測表面反射的測量光束與經參考鏡(5)鏡面反射的參考光束在分光器件(3)處相干迭加，形成表征待測MEMS器件(7)待測表面形貌的明暗相間的干涉條紋圖樣；

b、干涉條紋圖樣經第二光學透鏡(8)聚焦后，成像于CCD圖像傳感器(9)，由CCD圖像傳感器(9)轉換為電信號，傳輸至計算機(10)，由計算機(10)應用圖像重建軟件對信號進行分析處理得所測MEMS器件表面的三維形貌圖；

其特征在于：在應用干涉儀對待測MEMS器件(7)進行測量時，在參考光路的光學透鏡(4)前設置與待測MEMS器件(7)同材質的半導體晶片(11)，經分光器件(3)分出的參考光束在透射半導體晶片(11)后，再經參考光路的光學透鏡(4)折射、參考鏡(5)鏡面反射，與待測MEMS器件(7)待測表面反射的測量光束在分光器件(3)處相干迭加。

2.根據權利要求1所述的基于紅外光干涉技術的MEMS器件形貌測量方法，其特征在于：以中心波長為1250nm、半峰寬為150nm的紅外光光源作為測量光源。