[發明專利]有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201010142578.2 | 申請日: | 2010-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN101840930A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 田熙喆;郭魯敏;金恩雅;樸順龍;李柱華;鄭又碩;鄭哲宇;丁喜星 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;王青芝 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,包括具有多個子像素的像素,其中,所述多個子像素包括:
第一子像素,包括第一陽極和第一有機發射層;
第二子像素,包括第二陽極和第二有機發射層;
第三子像素,包括第三陽極和第三有機發射層,
其中,所述第一陽極、所述第二陽極和所述第三陽極滿足以下條件:
其中,W1、W2和W3分別表示沿著橫跨所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的方向測量的所述第一陽極的寬度、所述第二陽極的寬度和所述第三陽極的寬度,P表示沿著橫跨所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的方向測量的所述像素的寬度。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器還包括:像素限定層,設置在所述第一陽極、所述第二陽極和所述第三陽極的邊緣部分上,并具有暴露所述第一陽極的一部分的第一開口、暴露所述第二陽極的一部分的第二開口和暴露所述第三陽極的一部分的第三開口。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第一陽極、所述第二陽極、所述第三陽極和所述像素限定層滿足以下條件:
w1+w2+12μm<W1+W2,
其中,w1和w2分別表示沿著橫跨所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的方向測量的所述第一開口的寬度和所述第二開口的寬度。
4.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第一陽極的寬度、所述第二陽極的寬度和所述第三陽極的寬度以所述第三陽極、所述第一陽極和所述第二陽極的順序逐漸減小。
5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第一開口的寬度、所述第二開口的寬度和所述第三開口的寬度以所述第三開口、所述第一開口和所述第二開口的順序逐漸減小。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第一開口的寬度小于所述第一陽極的寬度,所述第二開口的寬度小于所述第二陽極的寬度,所述第三開口的寬度小于所述第三陽極的寬度,所述第一陽極、所述第二陽極和所述第三陽極的與所述像素限定層疊置的邊緣部分具有恒定寬度。
7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第一陽極、所述第二陽極和所述第三陽極的與所述像素限定層疊置的每個邊緣部分的所述恒定寬度大于3μm。
8.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第二陽極包括向外延伸的通孔區域,所述第二有機發射層位于除所述通孔區域外的第二陽極上。
9.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第一陽極和所述第三陽極具有多邊形區域和位于所述多邊形區域中的通孔區域,所述第一有機發射層和所述第三有機發射層均在通孔區域處具有局部凹入的部分。
10.根據權利要求9所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第二陽極具有多邊形區域和從所述多邊形區域延伸出去的向外延伸的通孔,所述第二有機發射層僅形成在第二陽極的多邊形區域上。
11.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第三陽極的寬度大于所述第一陽極的寬度,所述第一陽極的寬度大于所述第二陽極的寬度。
12.根據權利要求11所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述第三開口的寬度大于所述第一開口的寬度,所述第一開口的寬度大于所述第二開口的寬度。
13.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器還包括黑色平坦化層,其中,所述第一陽極在所述黑色平坦化層和所述第一有機發射層之間,所述第二陽極在所述黑色平坦化層和所述第二有機發射層之間,所述第三陽極在所述黑色平坦化層和所述第三有機發射層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





