[發明專利]高性能半導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 201010142509.1
• 申請日: 2010-04-08
• 公開（公告）號: CN102136435A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 張文杰;馬正焜;鄒世昌
• 申請（專利權）人: 上海卓騁電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 上海明成云知識產權代理有限公司 31232
• 代理人: 成春榮;竺云

1.一種高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

以半導體材料生成核心結構；

依次生成將所述核心結構連接到外部的N個連接層，其中，第1個連接層緊靠所述核心結構，第N個連接層離所述核心結構最遠，第N個連接層采用抗氧化性的材料，N為正整數；

對所述核心結構和N個連接層的組合體進行熱處理，使所述核心結構與第1個連接層的接觸部分發生反應；

在第N個連接層外，再依次生成M個連接層，其中M為正整數。

2.根據權利要求1所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述抗氧化材料包括：鈦，鉭，鎳。

3.根據權利要求1所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述熱處理的溫度范圍是高于或等于400攝氏度，低于或等于500攝氏度。

4.根據權利要求3所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述熱處理的氣體氛圍是以下之一：

真空，或者半導體級純凈氮氣，或者半導體級純凈氮氣+半導體級純凈氫氣。

5.根據權利要求1所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，N＞1。

6.根據權利要求5所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述N＝2，M＝2；

從所述核心結構開始：

第1個連接層為鋁或鈦的金屬薄膜，厚度為10納米到1微米；

第2個連接層為鈦或鉭的金屬薄膜，厚度為10納米到1微米；

第3個連接層為鎳或鉻的金屬薄膜，厚度為10納米到1微米；

第4個連接層為鉛或銀或金的金屬薄膜，厚度為100納米到1微米。

7.根據權利要求6所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述核心結構包括三層，第一層為P型或N型摻雜區域，第二層為漂移區，第三層為表面元胞，其中，第二層的摻雜濃度低于第一層，第一層與所述第1個連接層相鄰；

所述以半導體材料生成核心結構的步驟包括以下子步驟：

在半導體材料上制作所述核心結構的第二層和第三層；

對所得的半導體結構進行P型或N型離子注入。

8.根據權利要求6所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述生成N個連接層和生成M個連接層的步驟中，通過真空蒸發或真空濺射方式生成連接層。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述制造方法可以應用于垂直型半導體器件的制造。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的高性能半導體結構的制造方法，其特征在于，所述垂直型半導體器件包括：金屬氧化物半導體場效應晶體管、絕緣柵雙極型晶體管。