[發明專利]高電壓電解電容

無效

• 申請號: 201010142453.X
• 申請日: 2010-03-09
• 公開（公告）號: CN101847517A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 德克·德賴西格;約翰·加爾瓦尼
• 申請（專利權）人: 阿維科斯公司
• 主分類號: H01G9/145
• 分類號: H01G9/145;H01G9/04;H01G9/035;H01G9/07
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種濕性電解電容，包括：

包含一由陽極氧化形成的電介質層的多孔陽極主體；

包括一通過導電聚合體涂覆的金屬基底的陰極；以及

與所述陰極和所述陽極接觸的含水電解液，其中，該電解液包括弱有機酸鹽和水，其中，在25℃的溫度下，所述電解液的pH值為從約4.5至約7.0，所述電解液的離子電導率為約0.1至約30毫西門子每厘米。

2.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中在25℃的溫度下，所述電解液的離子電導率為約1至約20毫西門子每厘米。

3.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述pH值為從約5.0至約6.5。

4.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述鹽包含一單原子陽離子。

5.如權利要求4所述的濕性電解電容，其中，所述單原子陽離子為一堿金屬離子。

6.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述鹽包含一多原子陽離子。

7.如權利要求6所述的濕性電解電容，其中，所述多原子陽離子為一銨離子。

8.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，在25℃的溫度下，所述有機酸具有從約2至約10的第一酸離解常數。

9.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述有機酸為一羧酸。

10.如權利要求9所述的濕性電解電容，其中，所述羧酸為多元酸。

11.如權利要求10所述的濕性電解電容，其中，所述多元羧酸為己二酸，酒石酸，草酸，檸檬酸或其組合。

12.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述弱有機酸鹽占所述電解液的重量百分比為從約0.1％至約25％。

13.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述弱有機酸鹽占所述電解液的重量百分比為從約0.3％至約15％。

14.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述水占所述電解液的重量百分比為從約20％至約95％。

15.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述電解液進一步包括輔助溶劑。

16.如權利要求15所述的濕性電解電容，其中，所述輔助溶劑包括乙二醇。

17.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述金屬基底包括鈦。

18.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述導電聚合體為聚噻吩。

19.如權利要求18所述的濕性電解電容，其中，所述聚噻吩為聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)或其衍生物。

20.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述陽極主體由鉭氧化物或者鈮氧化物形成。

22.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述電容可被充至的電壓值與形成電介質層的電壓值的比值為約1.0至2.0。

23.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述電容可被充至的電壓值為約200至約350V。

24.如權利要求1所述的濕性電解電容，其中，所述電容可被充至的電壓值為約250至約300V。

25.一種濕性電解電容，包括：

由鉭氧化物或鈮氧化物形成的多孔陽極主體，其中，所述陽極主體進一步包含一由陽極氧化形成的電介質層；

包括一通過導電聚合體涂覆的鈦基底的陰極，其中，所述導電聚合體包括聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)或其一種衍生物；以及

與所述陰極和所述陽極接觸的含水電解液，其中，所述電解液包括一弱有機酸鹽和水，其中，在25℃的溫度下，所述電解液的pH值為從約4.0至約7.0，所述電解液的離子電導率為約0.5至約25毫西門子每厘米。

26.如權利要求25所述的濕性電解電容，其中，在25℃的溫度下，所述電解液的離子電導率為約1至約20毫西門子每厘米。