[發明專利]基板處理裝置和排氣方法

有效

• 申請號: 201010142298.1
• 申請日: 2010-03-18
• 公開（公告）號: CN101853779A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 山涌純;及川純史;中山博之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

收容被處理基板的處理室容器；

將該處理室容器內的氣體排出的排氣流路；和

設置在該排氣流路中的一個或多個的排氣泵以及收集排出氣體中的有害成分的除害裝置，并且，

在所述排氣流路中設置有供給離子化氣體的離子化氣體供給部，該離子化氣體用于對在該排氣流路中流動的排出氣體中所含的帶電的顆粒進行除電。

2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述離子化氣體供給部設置在至少一個所述排氣泵、或者所述排氣流路中的至少一個所述排氣泵的正上方或正下方。

3.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述離子化氣體是包含陽離子和陰離子的氣體。

4.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

收容被處理基板的處理室容器；

將該處理室容器內的氣體排出的排氣流路；和

設置在該排氣流路中的一個或多個的排氣泵以及收集排出氣體中的有害成分的除害裝置，并且，

在所述排氣流路中設置有氣體離子化裝置，其用于使在該排氣流路中流動的排出氣體離子化，對所述排出氣體中所含的帶電的顆粒進行除電。

5.如權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述氣體離子化裝置設置在至少一個所述排氣泵的下游側。

6.如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述氣體離子化裝置是軟X射線離子發生器、電暈放電離子發生器、局部等離子體、UV光照射型離子發生器中的任一個或多個。

7.一種排氣方法，其用于將基板處理裝置所包括的收容被處理基板的處理室容器內的氣體排出，其特征在于：

所述基板處理裝置還包括：將該處理室容器內的氣體排出的排氣流路；和

設置在該排氣流路中的一個或多個的排氣泵以及收集排出氣體中的有害成分的除害裝置，

該排氣方法包括離子化氣體供給步驟，其用于向在所述排氣流路中流動的排出氣體供給離子化氣體，對所述排出氣體中所含的帶電的顆粒進行除電。

8.如權利要求7所述的排氣方法，其特征在于：

向至少一個所述排氣泵內或者所述排氣流路中的至少一個所述排氣泵的正上方或正下方供給所述離子化氣體。

9.如權利要求7或8所述的排氣方法，其特征在于：

所述離子化氣體是包含陽離子和陰離子的氣體。

10.一種排氣方法，其用于將基板處理裝置所包括的收容被處理基板的處理室容器內的氣體排出，其特征在于：

所述基板處理裝置還包括：將該處理室容器內的氣體排出的排氣流路；和

設置在該排氣流路中的一個或多個的排氣泵以及收集排出氣體中的有害成分的除害裝置，

該排氣方法包括排出氣體離子化步驟，其用于使在所述排氣流路中流動的排出氣體離子化，對該排出氣體中所含的帶電的顆粒進行除電。

11.如權利要求10所述的排氣方法，其特征在于：

利用設置在至少一個所述排氣泵的下游側的氣體離子化裝置，將所述排出氣體離子化。

12.如權利要求11所述的排氣方法，其特征在于：

所述氣體離子化裝置是軟X射線離子發生器、電暈放電離子發生器、局部等離子體、UV光照射型離子發生器中的任一個或多個。