[發(fā)明專利]具抗氧化納米薄膜的散熱單元及抗氧化納米薄膜沉積方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010142112.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102208377A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳盈同
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陳盈同
• 主分類號(hào): H01L23/373
• 分類號(hào): H01L23/373;H05K7/20;C23C18/16
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于包含：

一金屬本體，具有一受熱部及一散熱部，該受熱部及散熱部外部披覆有至少一納米金屬化合物薄膜，所述納米金屬化合物薄膜是由一還原氣體及一納米氧化物涂層與前述金屬本體反應(yīng)所形成。

2.如權(quán)利要求1所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述散熱單元為散熱器、均溫板、散熱鰭片組、熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。

3.如權(quán)利要求1所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K₂O)及氧化鋅(ZnO)所組成的群組。

4.如權(quán)利要求1所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述金屬本體選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。

5.一種具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于包含：

一金屬本體，所述金屬本體具有一腔室，該腔室內(nèi)部具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu)，所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)具有30％-60％的孔隙率，該毛細(xì)結(jié)構(gòu)披覆有至少一納米金屬化合物薄膜，所述納米金屬化合物薄膜是由一還原氣體及一納米氧化物涂層與前述毛細(xì)結(jié)構(gòu)反應(yīng)所形成。

6.如權(quán)利要求5所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述散熱單元為電擊流道板、均溫板、熱管、平板式熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。

7.如權(quán)利要求5所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述納米氧化物涂層選自于氧化硅(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鈣(CaO)、氧化鉀(K₂O)及氧化鋅(ZnO)所組成的群組。

8.如權(quán)利要求5所述的具抗氧化納米薄膜的散熱單元，其特征在于所述金屬本體選自于銅、鋁、鎳及不銹鋼所組成的群組。

9.一種散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于包含下列步驟：

提供一散熱單元；

于前述散熱單元表面涂布至少一納米氧化物涂層；

于高溫環(huán)境下通入一還原氣體對(duì)該散熱單元及散熱單元表面的納米氧化物涂層進(jìn)行還原作業(yè)；

于熱處理及還原作業(yè)后，在前述散熱單元形成一納米金屬化合物薄膜。

10.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述散熱單元為電擊流道板、散熱器、均溫板、散熱鰭片組、熱管、平板式熱管、回路式熱管及水冷頭其中任一。

11.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述還原氣體為硫化氫、氫氣、一氧化碳及氨氣其中任一。

12.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述還原作業(yè)溫度為600度～1000度。

13.如權(quán)利要求12所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述還原作業(yè)溫度為650度～850度。

14.如權(quán)利要求9所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于于散熱單元表面涂布納米氧化物涂層采用物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)及溶膠凝膠法(sol?gel)其中任一。

15.如權(quán)利要求14所述的散熱單元的抗氧化納米薄膜沉積方法，其特征在于所述溶膠凝膠法為浸漬拉提式、沉降式、旋轉(zhuǎn)涂布式、涂刷式及沾濕式其中任一。