[發明專利]一種半導體器件、半導體器件的隔離結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010142040.1
• 申請日: 2010-04-07
• 公開（公告）號: CN102214657A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 駱志炯;朱慧瓏;尹海洲
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/762
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張磊

1.一種半導體器件的隔離結構，包括：

形成于半導體襯底內的基本為菱形的溝槽；

以及所述溝槽內填充的隔離材料。

2.根據權利要求1所述的隔離結構，其中所述隔離材料具有拉伸應力或壓縮應力。

3.根據權利要求2所述的隔離結構，在用于P管隔離時，所述隔離材料具有壓應力；用于N管隔離時，所述隔離材料具有拉應力。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的隔離結構，其中所述半導體襯底為表面晶向為{100}的Si襯底，所述基本為菱形的溝槽的側壁沿Si的側面晶向為{111}的晶面。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的隔離結構，其中所述基本為菱形的溝槽的上側壁與下側壁之間的夾角為(109°29’±2°)。

6.一種制造半導體器件的隔離結構的方法，所述方法包括：

在半導體襯底內形成溝槽；

濕法刻蝕所述溝槽以形成基本為菱形的溝槽；

在所述溝槽內填充隔離材料。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述濕法刻蝕的溶液為KOH、或TMAH。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述隔離材料具有拉伸應力或壓縮應力。

9.根據權利要求8所述的方法，在用于P管隔離時，所述隔離材料具有壓應力；用于N管隔離時，所述隔離材料具有拉應力。

10.根據權利要求6至9中任一項所述的方法，其中所述半導體襯底為表面晶向為{100}的Si襯底，所述基本為菱形的溝槽的側壁沿Si的側面晶向為{111}的晶面。

11.根據權利要求6至9中任一項所述的方法，其中所述基本為菱形的溝槽的上側壁與下側壁之間的夾角為(109°29’±2°)。

12.一種具有權利要求1所述的隔離結構的半導體器件，所述器件包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底內的隔離結構，所述隔離結構包括基本為菱形的溝槽，以及所述溝槽內填充的隔離材料；

形成于所述隔離結構之間的半導體襯底上的柵極區，以及所述柵極區兩側的源/漏區。

13.根據權利要求12所述的器件，其中所述隔離材料具有拉伸應力或壓縮應力。

14.根據權利要求13所述的器件，如果所述柵極區以及源/漏區形成P管，所述隔離材料具有壓應力；如果所述柵極區以及源/漏區形成N管，所述隔離材料具有拉應力。

15.根據權利要求12至14中任一項所述的器件，其中所述半導體襯底為表面晶向為{100}的Si襯底，所述基本為菱形的溝槽的側壁沿Si的側面晶向為{111}的晶面。

16.根據權利要求12至14中任一項所述的器件，其中所述基本為菱形的溝槽的上側壁與下側壁之間的夾角為(109°29’±2°)。