[發(fā)明專利]一種集成紫外生物芯片傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010141645.9 | 申請日： | 2010-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN101813628A | 公開（公告）日： | 2010-08-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 曲軼;趙強;楊旭;李輝;張斯鈺;趙博;劉國軍;薄報學 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | G01N21/64 | 分類號： | G01N21/64;H01L21/77;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 130022 吉林省長春市朝*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成 紫外 生物芯片 傳感器 | ||
1.一種集成紫外生物芯片傳感器的制作方法，包括紫外光過濾片的制作、剝離紫外發(fā)光二極管、二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片的制作和集成紫外生物芯片傳感器制作，其特征在于：在紫外光過濾片的制作中，在Si-PIN探測器上依次生長SiO2層、氧化銦錫ITO層和6H-SiC層，以SiO2層作為絕緣層和擴散勢壘層，且其厚度為150nm，以氧化銦錫層作為紫外發(fā)光管的導電層和反射層，且其厚度為200nm；以6H-SiC層為濾光層，且其厚度為200nm；在剝離紫外發(fā)光二極管中，進行紫外發(fā)光二極管藍寶石襯底剝離時，利用的是KrF準分子激光；在二甲基硅氧烷微流控芯片的制作中，制作50μm，100μm、1mm、2mm寬度的PDMS微流通道，研究不同寬度PDMS微流通道對探測效率的影響；將剝離好的紫外發(fā)光二極管傳送到帶有ITO/6H-SiC/SiO2膜層的Si-PIN探測器的過濾層上，再將帶有PDMS微流通道的玻璃板與帶有LED光源和6H-SiC紫外光過濾片的Si-PIN探測器集成在一起，最終制得集成紫外生物芯片傳感器。
2.根據(jù)權利要求1所述，一種集成紫外生物芯片傳感器的制作方法，其特征在于，采用了多波長紫外激發(fā)光源，
(1)激發(fā)光源發(fā)光波長在紫外范圍；
(2)發(fā)光波長分別為340nm和385nm。?
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