[發(fā)明專利]光輔助電化學(xué)腐蝕方法加工N型硅微通道陣列用腐蝕液無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010141527.8 | 申請日： | 2010-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN101792106A | 公開（公告）日： | 2010-08-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王國政;付申成;端木慶鐸 | 申請（專利權(quán)）人： | 長春理工大學(xué) |
| 主分類號： | B81B1/00 | 分類號： | B81B1/00;B81C1/00;C25F3/12;H01L21/3063 |
| 代理公司： | 長春科宇專利代理有限責(zé)任公司 22001 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輔助 電化學(xué) 腐蝕 方法 加工 型硅微 通道 陣列 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種光輔助電化學(xué)腐蝕方法加工N型硅微通道陣列用腐蝕液，為氫氟酸、乙醇水溶液，其特征在于，氫氟酸濃度為1～10wt％，乙醇濃度為5～10wt％；另外加入陰離子表面活性劑，加入量為所述氫氟酸、乙醇水溶液體積的0.1～1％，所述陰離子表面活性劑為α-烯基磺酸鈉或者脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉。
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