[發(fā)明專利]一種在釔摻雜氧化鋯襯底上制備立方結構氧化銦單晶薄膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010141341.2
• 申請日: 2010-04-08
• 公開（公告）號: CN101792901A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設計）人: 馬瑾;孔令沂;欒彩娜
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 濟南金迪知識產(chǎn)權代理有限公司 37219
• 代理人: 許德山

1.一種立方結構氧化銦單晶薄膜的制備方法，采用有機金屬化學氣相淀積(MOCVD)工藝，以三甲基銦[In(CH₃)₃]為有機金屬源，用氮氣作為載氣，用氧氣作為氧化氣體，用有機金屬化學氣相淀積設備在襯底上外延生長氧化銦單晶薄膜；其特征在于，所述襯底為釔摻雜氧化鋯(YSZ)(100)晶面，所述釔摻雜氧化鋯晶體的釔摻雜量為11～15mol％，工藝條件如下：

反應室壓強?20～60Torr，

生長溫度???600～750℃，

背景N₂流量?200～500sccm，

有機金屬源溫度?10～25℃，

有機金屬源瓶壓力?100～500Torr，

有機金屬源載氣N₂流量?15～40sccm，

氧氣流量30～80sccm；

氧化銦單晶薄膜的外延生長速率為0.5～1.2nm/min。

2.如權利要求1所述的立方結構氧化銦單晶薄膜的制備方法，其特征在于，工藝條件如下：

反應室壓強?30～50Torr，

生長溫度???600～700℃，

背景N₂流量?300～500sccm，

有機金屬源溫度?10～25℃，

有機金屬源瓶壓力?150～350Torr，

有機金屬源載氣N₂流量20～35sccm，

氧氣流量40～70sccm；

氧化銦單晶薄膜的外延生長速率為0.6～1.0nm/min。

3.如權利要求1所述的立方結構氧化銦單晶薄膜的制備方法，其特征在于，工藝條件如下：

反應室壓強??40Torr，

生長溫度????650℃，

背景N₂流量??450sccm，

有機金屬源溫度?18℃，

有機金屬源瓶壓力?240Torr，

有機金屬源載氣N₂流量?25sccm，

氧氣流量?50sccm；

氧化銦單晶薄膜的生長速率為0.6-0.8nm/分鐘。

4.如權利要求1～3任一項所述的立方結構氧化銦單晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述的有機金屬源是99.9999％的高純In(CH₃)₃，氧氣是99.999％的高純氧氣。

5.一種權利要求1～3任一項所述的方法制備的氧化銦單晶薄膜，該薄膜是具有單晶結構的外延材料，薄膜內(nèi)無孿晶和疇結構，薄膜的載流子遷移率高于61.2cm²V^-1s^-1。