[發(fā)明專利]一種稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜及其元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010141280.X
• 申請日: 2010-04-08
• 公開（公告）號: CN101880162A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李勝利;朱新德;敖青
• 申請（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號: C04B35/50
• 分類號: C04B35/50;C04B35/01;G01K7/16
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 37221
• 代理人: 王立曉

1.一種稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜，其特征是，它由重量百分比為50～95％的La_1-xSr_xMnO₃和5～50％的La_1-yA_yCrO₃組成，其中x＝0～0.6，y＝0～0.6，A＝Ca、Sr或Mg。

2.稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜的制備方法，其特征是，包括以下步驟：

1)制備La_1-xSr_xMnO₃溶膠，按摩爾比La∶Sr∶Mn＝(1-x)∶x∶1，其中x＝0～0.6，將硝酸鑭、硝酸鍶、硝酸錳混合溶解在去離子水中，配成溶液，然后加入配好的檸檬酸和乙二醇溶液，攪拌制成溶膠并繼續(xù)攪拌0.5～3小時得到摻鍶錳酸鑭溶膠；

2)制備La_1-xSr_xMnO₃凝膠，將步驟1)中制好的溶膠在60～90℃加熱攪拌至粘稠后，再于60～90℃靜置干燥12～36小時得到摻鍶錳酸鑭凝膠；

3)制備La_1-xSr_xMnO₃粉體，將步驟2)所制得的摻鍶錳酸鑭凝膠于600～800℃溫度下煅燒1～3小時，然后將煅燒產(chǎn)物研磨10～60分鐘制得La_1-xSr_xMnO₃粉體；

4)用上述同樣步驟方法制成La_1-yA_yCrO₃粉體；

5)將步驟3)中制備好的La_1-xSr_xMnO₃粉體、步驟4)中制備好的La_1-yA_yCrO₃粉體按比例與一定量有機(jī)混合液混合制成均勻漿料，再用絲網(wǎng)印刷法將漿料涂覆在預(yù)先清洗好的平板基底上，制得成膜基片；

6)干燥處理，將步驟5)中制備好的成膜基片水平放置流平后置于60～90℃下保溫干燥12～24小時，制得薄膜；

7)煅燒處理，將步驟6)中干燥好的薄膜放于1000～1400℃煅燒1～5小時。

3.按照權(quán)利要求2所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜的制備方法，其特征是，步驟1)中金屬陽離子與檸檬酸之摩爾比為1∶0.8～1∶3，檸檬酸與乙二醇之摩爾比為1∶2～1∶6。

4.按照權(quán)利要求2所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜的制備方法，其特征是，步驟5)所述的有機(jī)混合液在漿料中的重量百分比為30～80％；所述的有機(jī)混合液為乙基纖維素與松油醇混合物，或聚乙二醇與松油醇混合物，其中乙基纖維素或聚乙二醇在有機(jī)混合液中的重量百分比≤10％。

5.一種稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜元件，包括平板基底，其特征是，平板基底上覆有權(quán)利要求1所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜，稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜兩端設(shè)置有電極。

6.按照權(quán)利要求4所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜元件，其特征是，所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜為雙螺旋形或S形。

7.按照權(quán)利要求4所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜元件，其特征是，所述的稀土鈣鈦礦型直接接觸式測溫薄膜厚度為1～500μm。