[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)及功率半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010141174.1
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN102208436A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周振強(qiáng);江堂華;吳家鍵;蔡橋斌
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，包括位于功率半導(dǎo)體器件主體半導(dǎo)體區(qū)中的溝道環(huán)，其特征在于，所述溝道環(huán)的材料為相對介電常數(shù)為1～15之間的本征多晶材料。

2.如權(quán)利要求1所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝道環(huán)的材料為本征多晶硅和本征多晶碳化硅中的一種。

3.如權(quán)利要求1所述功率半導(dǎo)體器件的終端，其特正在于，具有多個所述溝道環(huán)。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括電場集中區(qū)和鈍化層，所述電場集中區(qū)位于主體半導(dǎo)體區(qū)的上面，所述鈍化層位于電場集中區(qū)的上面。

5.如權(quán)利要求4所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層的材料是聚酰亞胺。

6.如權(quán)利要求4所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電場集中區(qū)包括位于主體半導(dǎo)體區(qū)上面的第二絕緣層、位于第二絕緣層上的過渡層、位于過渡層上的柵氧層、位于柵氧層上的第一絕緣層、位于第一絕緣層上并在終端結(jié)構(gòu)邊緣處的金屬層、位于柵氧層和第一絕緣層之間的多晶硅層；所述多晶硅層水平方向上與金屬層隔開。

7.如權(quán)利要求6所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過渡層的材料是相對介電常數(shù)均在1～15之間的本征多晶材料或者絕緣材料。

8.如權(quán)利要求7所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過渡層的材料是聚酰亞胺。

9.如權(quán)利要求7所述功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過渡層的材料是本征多晶硅和本征多晶碳化硅中的一種。

10.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的功率半導(dǎo)體器件的終端結(jié)構(gòu)。