[發明專利]記錄元件基板、制造該記錄元件基板的方法和液體噴射頭有效
| 申請號: | 201010141167.1 | 申請日: | 2010-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN101844442A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發明(設計)人: | 石田讓;小室博和;齊藤一郎;櫻井誠;松居孝浩 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | B41J2/14 | 分類號: | B41J2/14;B41J2/16 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本東京都大*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 記錄 元件 制造 方法 液體 噴射 | ||
1.一種記錄元件基板,其包括:
基板;
絕緣層,其設置在所述基板上或所述基板上方;
多個加熱部,其排列配置在所述絕緣層上并且產生用于噴出液體的熱能;
熱傳導層,其設置在所述絕緣層的內部,并且具有比所述絕緣層的導熱率大的導熱率;和
多個熱傳導構件,其在所述加熱部的排列方向上均位于相鄰的加熱部之間,所述熱傳導構件在所述絕緣層的排列配置有所述加熱部的表面與所述熱傳導層之間貫通所述絕緣層以與所述熱傳導層接觸,所述熱傳導構件具有比所述絕緣層的導熱率大的導熱率。
2.根據權利要求1所述的記錄元件基板,其特征在于,關于所述加熱部的排列方向,所述絕緣層被設置在所述熱傳導構件和與該熱傳導構件相鄰的加熱部之間。
3.根據權利要求1所述的記錄元件基板,其特征在于,所述記錄元件基板還包括與所述加熱部電連接的電極,所述電極由與所述熱傳導構件的材料相同的材料構成。
4.根據權利要求3所述的記錄元件基板,其特征在于,所述電極包含Al、Cu、W和Au中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的記錄元件基板,其特征在于,所述熱傳導構件包含Al、Cu、W和Au中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的記錄元件基板,其特征在于,每個所述熱傳導構件的在與所述排列方向垂直的方向上的寬度大于每個所述加熱部的在與所述排列方向垂直的方向上的寬度。
7.根據權利要求1所述的記錄元件基板,其特征在于,在所述熱傳導構件當中,設置于所述加熱部的排列的中央的熱傳導構件的體積大于設置于所述加熱部的排列的端部的熱傳導構件的體積。
8.根據權利要求1所述的記錄元件基板,其特征在于,各所述熱傳導構件和與該熱傳導構件相鄰的加熱部之間的最短距離為1至5μm。
9.一種液體噴射頭,其包括:
根據權利要求1所述的記錄元件基板;和
用于噴出液體的噴射口,所述噴射口被設置成與所述加熱部相對應。
10.一種記錄元件基板,其包括:
基板;
絕緣層,其設置在所述基板上或所述基板上方;
多個加熱部,其排列配置在所述絕緣層上并且產生用于噴出液體的熱能;和
多個熱傳導構件,其在所述加熱部的排列方向上均位于相鄰的加熱部之間,所述熱傳導構件在所述絕緣層的正面與背面之間貫通所述絕緣層,所述熱傳導構件具有比所述絕緣層的導熱率大的導熱率。
11.一種制造記錄元件基板的方法,所述記錄元件基板包括基板、設置在所述基板上或所述基板上方的絕緣層和排列配置在所述絕緣層上并且產生用于噴出液體的熱能的多個加熱部,所述方法包括:
提供在其一個表面上具有絕緣層和熱傳導層的基板,所述熱傳導層由導熱率大于所述絕緣層的導熱率的材料構成;
在所述絕緣層中形成多個開口以使所述熱傳導層暴露;
用導熱率大于所述絕緣層的導熱率的材料填充所述多個開口,以形成與所述熱傳導層接觸的多個熱傳導構件;和
在所述絕緣層上相鄰的熱傳導構件之間以如下方式形成所述加熱部:該加熱部不與所述熱傳導構件接觸。
12.根據權利要求11所述的制造記錄元件基板的方法,其特征在于,所述方法還包括:形成與所述加熱部電連接的電極。
13.根據權利要求12所述的制造記錄元件基板的方法,其特征在于,同時形成所述電極和所述熱傳導構件。
14.根據權利要求11所述的制造記錄元件基板的方法,其特征在于,采用鑲嵌法形成所述熱傳導構件。
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