[發(fā)明專利]固態(tài)成像器件和固態(tài)成像裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010141138.5 | 申請日: | 2008-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN101820506A | 公開(公告)日: | 2010-09-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 瀧口亮;沼口將吾;田中弘明;廣田功 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H04N5/335 | 分類號: | H04N5/335;H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 宋鶴;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態(tài) 成像 器件 裝置 | ||
1.一種固態(tài)成像器件,包括:
成像部分,該成像部分包括以具有行和列的矩陣的形式布置的多個光 接收部分和布置在所述光接收部分的每個縱列中的垂直轉移寄存器,所述 垂直轉移寄存器用于沿垂直方向轉移從所述光接收部分轉移來的電荷;
水平轉移部分,用于沿水平方向轉移從所述垂直轉移寄存器轉移來的 電荷;
輸出部件,用于輸出從電荷轉換而成的電信號,所述電荷是從所述水 平轉移部分轉移而來的;
其中,所述成像部分、所述水平轉移部分和所述輸出部件被形成在具 有第二導電類型半導體區(qū)域的第一導電類型半導體基片中,并且地電勢作 為預定的基準電勢被施加到所述第二導電類型半導體區(qū)域;
第一基準電勢施加部分,該部分被配置用于向與形成所述輸出部件的 區(qū)域相對應的第二導電類型半導體區(qū)域施加地電勢;以及
第二基準電勢施加部分,該部分被配置用于向與形成所述成像部分的 區(qū)域相對應的第二導電類型半導體區(qū)域施加地電勢,
其中,所述第一導電類型是n型,所述第二導電類型是P型。
2.一種固態(tài)成像裝置,包括:
固態(tài)成像器件,該固態(tài)成像器件包括:
成像部分,該成像部分具有以具有行和列的矩陣的形式布置的多 個光接收部分和布置在所述光接收部分的每個縱列中的垂直轉移寄存器, 所述垂直轉移寄存器用于沿垂直方向轉移從所述光接收部分轉移來的電 荷;水平轉移部分,用于沿水平方向轉移從所述垂直轉移寄存器轉移來的 電荷;輸出部件,用于輸出從電荷轉換而成的電信號,所述電荷是從所述 水平轉移部分轉移而來的,其中,所述成像部分、所述水平轉移部分和所 述輸出部件被形成在具有第二導電類型半導體區(qū)域的第一導電類型半導體 基片中,并且地電勢作為預定的基準電勢被施加到所述第二導電類型半導 體區(qū)域;
定時信號發(fā)生器電路,用于向所述固態(tài)成像器件施加用于驅動所述垂 直轉移寄存器的垂直轉移時鐘和用于驅動所述水平轉移部分的水平轉移時 鐘;
第一基準電勢施加部分,該部分被配置用于向與形成所述輸出部件的 區(qū)域相對應的第二導電類型半導體區(qū)域施加地電勢;以及
第二基準電勢施加部分,該部分被配置用于向與形成所述成像部分的 區(qū)域相對應的第二導電類型半導體區(qū)域施加地電勢,
其中,所述第一導電類型是n型,所述第二導電類型是P型。
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