[發(fā)明專利]快速恢復(fù)二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010140971.8
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN102208454A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周振強;江堂華;吳家鍵;蔡橋斌;楊颯颯
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種快速恢復(fù)二極管，包括p型半導(dǎo)體層和與p型半導(dǎo)體層接觸的n型半導(dǎo)體層，其特征在于，橫向上，從p型側(cè)外表面到冶金結(jié)處，p型半導(dǎo)體層內(nèi)的少子壽命逐漸變長、摻雜濃度逐漸降低，從冶金結(jié)處到n型側(cè)外表面，所述n半導(dǎo)體層內(nèi)的少子壽命逐漸變短、摻雜濃度逐漸增加。

2.如權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體層的整體摻雜濃度大于n型半導(dǎo)體層的整體摻雜濃度。

3.如權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體層的p型側(cè)外表面的摻雜濃度為E16/cm³～E20/cm³、所述p型半導(dǎo)體層的pn結(jié)處表面的摻雜濃度為E14cm³～E17/cm³；所述n型半導(dǎo)體層的pn結(jié)處表面的摻雜濃度為E12/cm³～E14/cm³、n型側(cè)外表面的摻雜濃度為E16/cm³～E20/cm³。

4.如權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，橫向上，從所述p型側(cè)外表面到冶金結(jié)處，空穴濃度變化方程為fexp(a1x/Lp)，少子壽命的變化方程為gexp(-b1x/Lp)，從冶金結(jié)處到n型側(cè)外表面，空穴濃度變化方程為fexp(a2x/Lp)，少子壽命的變化方程為gexp(-b2x/Lp)，其中，f為空穴濃度的最大值和g為少子壽命的最大值，a1、a2、b1、b2為常數(shù)，Lp為空穴擴散長度。

5.一種快速恢復(fù)二極管，包括p型半導(dǎo)體層和與p型半導(dǎo)體層接觸的n型半導(dǎo)體層，其特征在于，橫向上，從p型側(cè)外表面到冶金結(jié)處，p型半導(dǎo)體層內(nèi)的摻雜濃度逐漸降低、少子壽命逐漸變短，從冶金結(jié)處到n型側(cè)外表面，所述n半導(dǎo)體層內(nèi)的摻雜濃度逐漸降低、少子壽命逐漸變長。

6.如權(quán)利要求5所述快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體層的整體摻雜濃度大于n型半導(dǎo)體層的整體摻雜濃度。

7.如權(quán)利要求6所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體層的摻雜濃度從p型側(cè)外表面的摻雜濃度為E20/cm³～E16/cm³、所述p型半導(dǎo)體層的pn結(jié)處表面的摻雜濃度為E14cm³～E17/cm³；所述n型半導(dǎo)體層的pn結(jié)處表面的摻雜濃度為E20/cm³～E16/cm³、n型側(cè)外表面的摻雜濃度為E12/cm³～E14/cm³。

8.如權(quán)利要求5所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，橫向上，從所述p型側(cè)外表面到冶金結(jié)處，空穴濃度變化方程為hexp(c1x/Lp)，少子壽命的變化方程為lexp(-d1x/Lp)，從冶金結(jié)處到n型側(cè)外表面，空穴濃度變化方程為hexp(c2x/Lp)，少子壽命的變化方程為lexp(-d2x/Lp)，其中，h為空穴濃度的最大值和1為少子壽命的最大值，c1、c2、d1、d2為常數(shù)，Lp為空穴擴散長度。

9.一種快速恢復(fù)二極管，橫向包括p型半導(dǎo)體層和與p型半導(dǎo)體層接觸的n型半導(dǎo)體層；其特征在于：軸向包括相鄰的第一二極管結(jié)構(gòu)和第二二極管管結(jié)構(gòu)；所述第一二極管結(jié)構(gòu)，橫向上，從所述第一二極管結(jié)構(gòu)的p型側(cè)外表面到冶金結(jié)處，所述第一二極管結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體層內(nèi)的少子壽命逐漸變長、摻雜濃度逐漸降低，從冶金結(jié)處到所述第一二極管結(jié)構(gòu)的n型側(cè)外表面，所述第一二極管結(jié)構(gòu)的n半導(dǎo)體層內(nèi)的少子壽命逐漸變短、摻雜濃度逐漸增加；所述第二二極管結(jié)構(gòu)，橫向上，從所述第二二極管結(jié)構(gòu)的p型側(cè)外表面到冶金結(jié)處，所述第二二極管結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體層內(nèi)的摻雜濃度逐漸降低、少子壽命逐漸變短，從冶金結(jié)處到所述第二二極管結(jié)構(gòu)的n型側(cè)外表面，所述第二二極管結(jié)構(gòu)的n半導(dǎo)體層內(nèi)的摻雜濃度逐漸降低、少子壽命逐漸變長。

10.如權(quán)利要求9所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述第一二極管結(jié)構(gòu)和第二二極管管結(jié)構(gòu)的軸向面積比為1∶0.1～1∶10。

11.如權(quán)利要求10所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述第一二極管結(jié)構(gòu)和第二二極管管結(jié)構(gòu)的軸向面積比為1∶1～1∶5。