[發明專利]固態成像裝置及其制作方法、成像設備以及防反射結構的制作方法

無效

• 申請號: 201010140803.9
• 申請日: 2010-03-24
• 公開（公告）號: CN101853868A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 前田兼作;小池薰;佐佐木徹;辰巳哲也
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武;南霆

1.一種防反射結構的制作方法，所述方法包括以下步驟：

在襯底的表面上形成樹脂膜，所述樹脂膜中散布有微細粒子；

通過在逐漸地蝕刻所述微細粒子的同時，使用在所述樹脂膜中的所述微細粒子作為掩膜來對所述樹脂膜進行蝕刻，來在所述樹脂膜上形成突起假圖案；

通過對所述襯底的表面與其上形成有所述突起假圖案的所述樹脂膜一同進行回蝕，并且將形成在所述樹脂膜的表面上的所述突起假圖案的表面形狀轉移到所述襯底的表面上，來在所述襯底的表面上形成突起圖案。

2.根據權利要求1所述的防反射結構的制作方法，其中，

通過涂布法形成其中散布有所述微細粒子的所述樹脂膜。

3.根據權利要求1或2所述的防反射結構的制作方法，其中，

所述微細粒子由金屬氧化物或酞菁化合物制成；并且

所述樹脂膜從由基于酚醛的樹脂、基于苯乙烯的樹脂、丙烯酸樹脂、基于聚硅氧烷的樹脂以及基于聚酰亞胺的樹脂組成的組中選擇。

4.根據權利要求1或2所述的防反射結構的制作方法，其中，

所述樹脂膜含有熱硬化劑。

5.一種防反射結構的制作方法，所述方法包括以下步驟：

將微細粒子設置在襯底的表面上；以及

通過執行對于所述襯底的蝕刻速率比對于所述微細粒子的蝕刻速率更高的各向異性蝕刻，來在所述襯底的表面上形成突起圖案。

6.根據權利要求5所述的防反射結構的制作方法，其中，

通過在所述襯底的表面上將其中散布有所述微細粒子的溶劑形成為膜狀，來將所述微細粒子設置在所述襯底的表面上。

7.根據權利要求6所述的防反射結構的制作方法，其中

通過在所述襯底的表面上將其中散布有所述微細粒子的溶劑由涂布方法形成為膜狀并且之后對所述溶劑進行蒸發，來將所述微細粒子設置在所述襯底的表面上。

8.根據權利要求5所述的防反射結構的制作方法，其中

在形成所述突起圖案的步驟中的蝕刻過程中，所述襯底與所述微細粒子之間的蝕刻選擇比的關系改變為使得對于所述襯底的蝕刻速率高于對于所述微細粒子的蝕刻速率。

9.根據權利要求5所述的防反射結構的制作方法，其中

所述微細粒子由無機粒子或有機粒子制成，其中從氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物以及金屬中選擇所述無機粒子。

10.一種固態成像裝置的制作方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底上形成夾層絕緣膜并且在所述夾層絕緣膜上形成平坦化絕緣膜，在所述半導體襯底中形成將入射光轉換為信號電荷的光電轉換部分和從所述光電轉換部分讀取并轉移出所述信號電荷的電荷轉移部分；

在所述平坦化絕緣膜上形成樹脂膜，所述樹脂膜中分散有微細粒子；

通過在逐漸地蝕刻所述微細粒子的同時，使用在所述樹脂膜中的所述微細粒子作為掩膜來對所述樹脂膜進行蝕刻，來在所述樹脂膜上形成突起假圖案；以及

通過對所述平坦化絕緣膜的表面與其上形成有所述突起假圖案的所述樹脂膜一同進行回蝕，并且將形成在所述樹脂膜的表面上的所述突起假圖案的表面形狀轉移到所述平坦化絕緣膜的表面上，來在所述平坦化絕緣膜的表面上形成突起圖案。

11.一種固態成像裝置的制作方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底上形成夾層絕緣膜并且在所述夾層絕緣膜上形成平坦化絕緣膜，在所述半導體襯底中形成將入射光轉換為信號電荷的光電轉換部分和從所述光電轉換部分讀取并轉移出所述信號電荷的電荷轉移部分；

將微細粒子設置在所述平坦化絕緣膜的表面上；

通過執行對于所述平坦化絕緣膜的蝕刻速率比對于所述微細粒子的蝕刻速率更高的各向異性蝕刻，來在所述平坦化絕緣膜的表面上形成突起圖案。