[發(fā)明專利]高可靠度發(fā)光裝置封裝支架結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010140650.8
• 申請日: 2010-04-07
• 公開（公告）號: CN102214768A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉俊杰;王啟全
• 申請（專利權(quán)）人: 順德工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京萬慧達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強;張一軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光裝置封裝支架結(jié)構(gòu)，尤其是指一種具麻面區(qū)的高可靠度發(fā)光裝置封裝支架結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，如臺灣第I277223號《一種低熱阻之LED封裝》專利案(以下簡稱為參考案)的結(jié)構(gòu)，請配合參看圖11所示，其具有一形成有接腳的支架(40)及一絕緣材料(50)，該支架(40)形成有一正極導線架(42)、一負極導線架(44)及一用以結(jié)合發(fā)光二極管芯片(60)的芯片承載導線架(46)，該絕緣材料(50)成型而圍繞于該支架(40)上，而形成有一固晶區(qū)(52)。

然，參考案的支架(40)用以利用焊接而與電路板等基材相結(jié)合的背面系呈平面設(shè)計，但因焊錫容易因高溫的使用條件而劣化，使范圍性的焊著性不良產(chǎn)生，因此，現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)設(shè)計僅能適用于較低功率的設(shè)計，但隨著大功率需求的增加，發(fā)光二極管芯片的操作溫度也會隨之提高，如此更容易導致焊錫的劣化現(xiàn)象，而降低了發(fā)光二極管使用的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明人有鑒于現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及使用上的缺失，特經(jīng)過不斷的試驗與研究，終于發(fā)展出一種可改進現(xiàn)有缺失的本發(fā)明。

本發(fā)明的主要目的在于提供一種高可靠度發(fā)光裝置的封裝支架結(jié)構(gòu)，其可提高支架背面的咬錫性，并能有效地控制錫膏的擴散性及增加支架整體的散熱面積，以達到提升發(fā)光裝置使用可靠度的目的。

為達上述目的，本發(fā)明主要是提供一種高可靠度發(fā)光裝置封裝支架結(jié)構(gòu)，其包含有：

一支架，形成有一基部及復數(shù)個導電接腳，該支架具有一正面及一背面，該支架的該背面上形成有一麻面區(qū)；以及

一光杯本體，具有一內(nèi)凹空間，該光杯本體是圍繞設(shè)置于該支架，使該支架的基部正面由該內(nèi)凹空間露出而形成一功能區(qū)。

藉由上述的技術(shù)手段，本發(fā)明可藉由支架背面所形成的麻面區(qū)來提高支架的咬錫性，可避免焊錫因高溫而劣化，而導致焊著性不良的情況產(chǎn)生，并且，麻面區(qū)具有毛細功能，可幫助錫膏在一定范圍內(nèi)快速流動，能有效控制錫膏的擴散性，同時藉由麻面區(qū)的形成可增加支架的散熱面積，進而提高支架的熱傳導性能，以提升發(fā)光裝置使用的可靠度，因此本發(fā)明更可適用于薄型化發(fā)光裝置的封裝，以符合薄型化趨勢并兼顧高可靠度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實施例的立體外觀圖。

圖2是本發(fā)明第一實施例的仰視立體外觀圖。

圖3是本發(fā)明第一實施例沿第一圖3-3線的剖面圖。

圖4是本發(fā)明第二實施例的仰視立體外觀圖。

圖5至8是本發(fā)明凹溝實施例的局部放大剖面圖。

圖9是本發(fā)明第三實施例的剖面圖。

圖10是本發(fā)明第四實施例的立體剖面圖。

圖11是現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：

(10，10A，10B，10C)支架

(12)基部

(14)導電接腳??(16，16A，16B)麻面區(qū)

(162，162A，162B，162C)凹溝

(164B，164C)凸肋

(18)段差凹部??(19)結(jié)合孔

(20，20C)光杯本體??(22)功能區(qū)

(26)結(jié)合柱

(40)支架

(42)正極導線架??(44)負極導線架

(46)芯片承載導線架??(50)絕緣材料

(52)固晶區(qū)??(60)發(fā)光二極管芯片

具體實施方式