[發明專利]基板熱處理裝置有效
| 申請號: | 201010140479.0 | 申請日: | 2010-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN101840847A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 水永耕市 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種基板熱處理裝置,其具有用于保持所載置的基板且將該基板熱處理到規定溫度的熱處理板,其特征在于,
上述熱處理板具有熱處理板主體,該熱處理板主體通過層疊多個由導熱材料構成的薄板而成,且形成通過層疊上述薄板而開設的熱介質的供給流路、排出流路、吸附用孔以及與該熱介質的供給流路、排出流路相連通的熱介質流路。
2.根據權利要求1所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
該基板熱處理裝置還具有基板吸附板,該基板吸附板通過層疊多個由導熱材料構成的薄板而成,并且形成通過層疊上述薄板而開設的與上述吸附用孔相連通的吸引流路。
3.根據權利要求1或2所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
上述熱處理板的最上層以及最下層的薄板是由比內部層的薄板更具耐強度性的材料構成的薄板。
4.根據權利要求1所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
上述熱處理板主體的最上層以及最下層的薄板是由比內部層的薄板更具耐強度性的材料構成的薄板。
5.根據權利要求1或2所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
在上述熱處理板的上部側的多個薄板上的任意多個位置上設置安裝孔,并將用于支承基板的支承銷與該安裝孔相嵌合地豎立設置該支承銷。
6.根據權利要求1或2所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
上述薄板是銅制薄板。
7.根據權利要求3所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
上述最上層以及最下層的薄板是不銹鋼、鈦或鎳制薄板,上述內部層的薄板是銅制薄板。
8.根據權利要求1或2所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
采用擴散接合方式將上述薄板彼此層疊結合。
9.根據權利要求1或2所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
利用中途設有溫度切換機構的供給管路來連接上述供給流路以及排出流路中的至少供給流路的供給口和熱介質供給源。
10.根據權利要求4所述的基板熱處理裝置,其特征在于,
上述最上層以及最下層的薄板是不銹鋼、鈦或鎳制薄板,上述內部層的薄板是銅制薄板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





