[發明專利]一種硅基納米孔的制作方法有效
| 申請號： | 201010140180.5 | 申請日： | 2010-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN101798059A | 公開（公告）日： | 2010-08-11 |
| 發明（設計）人： | 司衛華;劉澤文 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 賈玉健 |
| 地址： | 100084 北京市10*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅基納米孔的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
一、在硅襯底（1）上覆蓋保護材料（2）和頂層保護材料（3），保護 材料（2）采用濺射的鉻層，厚度為300nm，頂層保護材料（3）采用濺 射的鋁層，厚度為300nm，用微細加工技術將需要在硅襯底（1）上刻 蝕出的圖形加工到兩層保護材料上，圖形的深度到達硅襯底（1）的表 面；
二、在硅襯底（1）的表面運用深反應離子刻蝕的方法刻蝕出垂直的柱 狀孔，刻蝕的深度取決于所用硅片的厚度和所要制作的硅納米孔之間 的距離,根據硅各向異性濕法腐蝕的特性和所要制作的硅納米孔之間的 距離，可以得到濕法腐蝕的深度，深反應離子刻蝕的深度為硅片的厚 度減去濕法腐蝕的深度；
三、在柱狀孔的表面（6）涂上光刻膠（5）；
四、采用濕法腐蝕，利用濃度為30%的氫氧化鉀堿性溶液，從柱狀孔末 端往下繼續腐蝕，使得腐蝕出的斜面（4）與水平面的夾角為53.7°, 最后得到尺寸可控的硅納米孔（7）。
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