[發明專利]制造Ⅲ族氮化物半導體的方法

有效

• 申請號: 201010139890.6
• 申請日: 2010-03-30
• 公開（公告）號: CN101851785A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 佐藤峻之;永井誠二;森勇介;北岡康夫;巖井真;東原周平
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社;國立大學法人大阪大學;日本礙子株式會社
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B29/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種制造III族氮化物半導體的方法，其中將至少包含III族金屬、堿金屬和摻雜劑的熔融混合物與至少包含氮的氣體反應，由此在種晶上生長III族氮化物半導體，其中所述方法包括：

在由堿金屬形成相應的堿金屬液體之前，由III族金屬形成相應的III族金屬液體；

通過將所述III族金屬液體與摻雜劑混合來形成熔融混合物；

接著，由所述堿金屬形成所述堿金屬液體；和

使所述堿金屬液體與所述III族金屬和所述摻雜劑的所述熔融混合物接觸。

2.根據權利要求1所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述III族金屬和所述摻雜劑的所述熔融混合物是所述III族金屬和所述摻雜劑的熔融合金。

3.根據權利要求1所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述摻雜劑是使得其與任意III族金屬的合金的熔融溫度低于其與任意堿金屬的合金的熔融溫度的材料。

4.根據權利要求2所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述摻雜劑是使得其與任意III族金屬的合金的熔融溫度低于其與任意堿金屬的合金的熔融溫度的材料。

5.根據權利要求1所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中當將所述堿金屬、所述III族金屬和所述摻雜劑置于坩堝中時，將所述摻雜劑與所述堿金屬分開放置并且將所述摻雜劑放置在所述III族金屬附近。

6.根據權利要求3所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中當將所述堿金屬、所述III族金屬和所述摻雜劑置于坩堝中時，將所述摻雜劑與所述堿金屬分開放置并且將所述摻雜劑放置在所述III族金屬附近。

7.根據權利要求4所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中當將所述堿金屬、所述III族金屬和所述摻雜劑置于坩堝中時，將所述摻雜劑與所述堿金屬分開放置并且將所述摻雜劑放置在所述III族金屬附近。

8.根據權利要求5所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中：將所述種晶放置在所述坩堝的底表面上，以使其相對于所述底表面傾斜；

將所述堿金屬放置在所述種晶上，和

將所述III族金屬和所述摻雜劑放置在所述坩堝的底表面上或者放置在所述坩堝的底表面和所述種晶的背表面之間的空間中。

9.根據權利要求6所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中：將所述種晶放置在所述坩堝的底表面上，以使其相對于所述底表面傾斜；

將所述堿金屬放置在所述種晶上，和

將所述III族金屬和所述摻雜劑放置在所述坩堝的底表面上或者放置在所述坩堝的底表面和所述種晶的背表面之間的空間中。

10.根據權利要求7所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中：

將所述種晶放置在所述坩堝的底表面上，以使其相對于所述底表面傾斜；

將所述堿金屬放置在所述種晶上，和

將所述III族金屬和所述摻雜劑放置在所述坩堝的底表面上或者放置在所述坩堝的底表面和所述種晶的背表面之間的空間中。

11.根據權利要求1所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述摻雜劑是使所述堿金屬和所述摻雜劑的液體混合物保持相分離狀態的材料。

12.根據權利要求2所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述摻雜劑是使所述堿金屬和所述摻雜劑的液體混合物保持相分離狀態的材料。

13.根據權利要求5所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述摻雜劑是使所述堿金屬和所述摻雜劑的液體混合物保持相分離狀態的材料。

14.根據權利要求8所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述摻雜劑是使所述堿金屬和所述摻雜劑的液體混合物保持相分離狀態的材料。

15.根據權利要求1～14中任一項所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述堿金屬是鈉，并且所述摻雜劑是鍺。

16.根據權利要求1～14中任一項所述的制造III族氮化物半導體的方法，其中所述堿金屬是鈉，并且所述摻雜劑是鋅。