[發明專利]制備透明陶瓷的方法

有效

• 申請號: 201010139771.0
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN101851094A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 伊馮娜·門克;池末明生
• 申請（專利權）人: 肖特公開股份有限公司
• 主分類號: C04B35/488
• 分類號: C04B35/488;C04B35/622
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 郭國清;樊衛民

1.制備電光陶瓷材料的方法，該方法包括由如下初始材料的粉末混合物制備成型體的步驟，所述初始材料包括至少一種選自SiO₂、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、Al₂O₃和氟化物的燒結助劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述電光陶瓷材料包含如下晶體，該晶體具有的化學計量為：

A_2+XB_YD_ZE₇，和其中

-1.15≤x≤+1.1和0≤Y≤3和0≤Z≤1.6和其中

3x+4y+5z＝8和其中

A是至少一種選自稀土離子的三價陽離子，B是至少一種四價陽離子，D是至少一種五價陽離子和E是至少一種二價陰離子。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述電光陶瓷材料具有對稱的立方晶體結構。

4.根據上述權利要求中一項或多項所述的方法，其中所述電光陶瓷材料具有的晶體結構類似于燒綠石或螢石的結構。

5.根據權利要求2-4中一項或多項所述的方法，其中A選自Y、Gd、Yb、Lu、Sc、La及這些組分的混合物。

6.根據權利要求2-5中一項或多項所述的方法，其中B選自Zr、Ti、Hf、Sn、Ge及這些組分的混合物。

7.根據上述權利要求中一項或多項所述的方法，其中所述電光陶瓷材料具有的平均晶粒大小為5至300μm。

8.根據上述權利要求中一項或多項所述的方法，該方法包括如下步驟：

優選在500至900℃的溫度下預燒結所述成型體。

9.根據上述權利要求中一項或多項所述的方法，該方法包括如下步驟：

優選在1400至1900℃的溫度下，在真空中燒結所述預燒結的成型體。

10.根據上述權利要求中一項或多項所述的方法，該方法包括如下步驟：

優選在1400至2000℃的溫度下，和優選在10至198MPa的壓力下加壓所述燒結的成型體。

11.根據上述權利要求中一項或多項所述的方法，該方法包括如下步驟：

在600至1600℃溫度下，在包含氧氣的氣氛中退火所述加壓的和燒結的成型體。