[發明專利]IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作工藝

有效

• 申請號: 201010139707.2
• 申請日: 2010-04-06
• 公開（公告）號: CN101814439A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 李磊;孫桂鋮
• 申請（專利權）人: 淄博市臨淄銀河高技術開發有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 鞏同海

1.一種IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作工藝，其特征在于包括如下步驟：

1）氧化鋁陶瓷基片清洗活化，并在氧化鋁陶瓷基片的表面采用PVD工藝沉積一層1~2μm的銅膜；

2）銅箔清洗活化，并在銅箔表面采用CVD工藝交替沉積0.1μm厚的氧化亞銅和0.1μm厚的銅，沉積的氧化亞銅和銅的厚度為0.5~10μm；

3）將銅箔預壓成型，使銅箔沿寬度方向成弧形后與氧化鋁陶瓷基片一起放置在鍵合爐內進行高溫鍵合，鍵合溫度為1070~1130℃；

4）鍵合后的覆銅板冷卻，覆銅板冷卻時采用了熱階梯循環法進行冷卻并消除應力，其步驟如下：

a）10分鐘時間從鍵合溫度降溫至500℃；

b）2分鐘時間從500℃升溫至700℃；

c）8分鐘時間從700℃降溫至200℃；

d）2分鐘時間從200℃升溫至300℃；

e）8分鐘時間從300℃降溫至60℃以下后自然冷卻。

2.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作工藝，其特征在于所述氧化鋁陶瓷基片為氧化鋁含量為65~99%的氧化鋁陶瓷基片，氧化鋁陶瓷基片的厚度為0.19~1.0mm。

3.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作工藝，其特征在于所述銅箔為無氧紫銅箔，厚度為0.1~0.3mm。

4.根據權利要求1所述的一種IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作工藝，其特征在于鍵合爐為鏈帶式氮氣保護共晶鍵合爐，鍵合周期為5~10分鐘。