[發明專利]一種制作納米壓印印章的方法

無效

• 申請號: 201010139179.0
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN101825842A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 劉宏偉;闞強;王春霞;陳弘達
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種制作納米壓印印章的方法，其特征在于，該方法通過電子束 曝光在電子束膠上得到納米圖形，利用金屬蒸發和電鍍的方法將該納米圖 形填充后轉移到金屬表面，然后將帶有微納結構的金屬鍍膜轉移粘附在金 屬襯底上，得到可重復使用的納米壓印印章，具體包括：

在襯底材料上旋涂聚二甲基硅氧烷PDMS；在PDMS上制作電子束曝 光導電金屬層；導電金屬層上旋涂電子束抗蝕劑，通過電子束曝光方法在 電子束抗蝕劑上制作納米圖形；制作電鍍導電金屬層，填充并覆蓋電子束 抗蝕劑上的納米圖形；以該電鍍導電金屬層的金屬為導電層，電鍍厚金屬 層；使用焊接或粘貼的方法將電鍍層與金屬支撐體連接；將PDMS與襯底 剝離，并去除；利用丙酮剝離的方法將電子束抗蝕劑和電子束導電金屬層 去除，得到位于金屬支撐體上的帶有納米圖形的金屬壓印印章；

其中，所述制作電鍍導電金屬層的步驟中，該電鍍導電金屬層的金屬 能夠作為下一步電鍍厚金屬層的導電層；所述使用焊接或粘貼的方法將電 鍍層與金屬支撐體連接的步驟中，使用的電鍍厚金屬層為納米圖形金屬層 和金屬支撐體之間的連接層。

2.根據權利要求1所述的制作納米壓印印章的方法，其特征在于， 該方法制得的納米壓印印章為金屬印章，是在金屬直接填充電子束曝光抗 蝕劑納米圖形后，利用丙酮剝離的方法將電子束抗蝕劑和電子束導電金屬 層去除，形成金屬印章的納米圖形，帶有納米圖形的金屬印章和襯底采用 剝離方法分離。

3.根據權利要求1所述的制作納米壓印印章的方法，其特征在于， 所述通過電子束曝光在電子束膠上得到納米圖形是使用電子束曝光方法 制作的，電子束曝光抗蝕劑涂覆在襯底電子束曝光導電金屬層上。

4.根據權利要求1所述的制作納米壓印印章的方法，其特征在于， 所述電子束曝光抗蝕劑之下為電子束曝光導電金屬層，電子束曝光導電金 屬層采用電子束蒸發或者磁控濺射方法制作在位于襯底上的聚二甲基硅 氧烷PDMS層上。

5.根據權利要求4所述的制作納米壓印印章的方法，其特征在于， 所述聚二甲基硅氧烷PDMS作為犧牲層，采用旋涂方法涂覆在襯底材料表 面，通過去除聚二甲基硅氧烷PDMS分離金屬印章和襯底。

6.根據權利要求4所述的制作納米壓印印章的方法，其特征在于， 所述納米壓印印章上的電子束曝光導電金屬層，通過電子束抗蝕劑剝離去 除。