[發(fā)明專利]一種管狀陰極受控電弧等離子體蒸發(fā)離化源無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010138873.0 | 申請日: | 2010-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN102102178A | 公開(公告)日: | 2011-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王殿儒 | 申請(專利權(quán))人: | 王殿儒 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 管狀 陰極 受控 電弧 等離子體 蒸發(fā) 離化源 | ||
1.一種管狀陰極受控電弧等離子體蒸發(fā)離化源,其特征是在真空鍍膜室內(nèi),圍繞軸線旋轉(zhuǎn)的管狀陰極的兩端,經(jīng)過可控開關(guān)各接入一個電弧電源,與陽極之間引燃電弧后,通過開關(guān)的控制,當(dāng)一個弧電源接通時,另一個弧電源斷開,再切換到另一個電源接通時,則原來一個弧電源斷開。交替有序地控制這兩個開關(guān),使電弧有序地從這一端向那一端之間做往復(fù)運動,即可使管狀電弧陰極的表面材料蒸發(fā)和電離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述,一種管狀陰極受控電弧等離子體蒸發(fā)離化源,其特征是所采用的開關(guān)是電子開關(guān),可按程序自動控制其快速開啟和關(guān)閉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述,一種管狀陰極受控電弧等離子體蒸發(fā)離化源,其特征是所述的電弧電源是具有下降外特性的直流電源,空載電壓大于50V,電流在20~400A之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述,一種管狀陰極受控電弧等離子體蒸發(fā)離化源,其特征是所述的管狀陰極材料采用的是金屬及其合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述,一種管狀陰極受控電弧等離子體蒸發(fā)離化源,其特征是管狀陰極一個方向用屏蔽罩遮擋,電弧放電在另一個方向進行,實現(xiàn)定向蒸發(fā)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1和權(quán)利要求5所述,蒸發(fā)源的屏蔽罩的特征是屏蔽罩的遮擋的角度在180°~320°之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





