[發明專利]一種新型磁控濺射與多弧蒸發兼容的管狀陰極源

無效

• 申請號: 201010138848.2
• 申請日: 2010-04-06
• 公開（公告）號: CN102102188A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 王殿儒
• 申請（專利權）人: 王殿儒
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型磁控濺射與多弧蒸發兼容的管狀陰極源，其特征是在真空室中，在同一個圍繞軸線旋轉的管狀陰極內，在一個朝向置入磁控濺射所需要的磁場系統，在相反的朝向不置入任何磁場系統，而在管狀陰極的兩端分別通過可控開關，各連接一個電弧電源，管狀陰極又可通過另一個可控開關，連接一個磁控濺射電源。

當需要進行磁控濺射鍍膜時，使其磁場系統朝向被鍍工件，并接通磁控濺射電源；在需進行多弧離子鍍時，則使無磁場系統的一面朝向被鍍工件，并順序交替地接通與斷開兩端的電弧電源。

2.根據權利要求1所述，一種新型磁控濺射與多弧蒸發兼容的管狀陰極源，其特征是當需進行多弧離子鍍時，磁場系統從朝向工件處轉180°到背向工件處。

3.根據權利要求1所述的管狀陰極源，其特征是進行多弧離子鍍時，為了避免雜散磁力線對無需磁場的空間的影響，在背向工件處，設置抗磁性很強的銅質磁屏蔽半圓管形內襯。

4.根據權利要求1和2所述，其特征是在不需要進行磁控濺射或多弧蒸發的那一面，設置有屏蔽罩。

5.根據權利要求1和4所述，其特征是屏蔽罩能罩住的部分中心角為180°～280°。