[發(fā)明專利]一種微納米尺度散斑的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010138837.4 | 申請日: | 2010-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN101832759A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝惠民;李艷杰;王懷喜;朱建國 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | G01B11/16 | 分類號: | G01B11/16;B82B1/00 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更巖 |
| 地址: | 100084 北京市10*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 尺度 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微納米尺度散斑的制作方法,屬于光測力學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著微加工技術(shù)的不斷進步,器件尺寸越來越小,MEMS系統(tǒng)等微小器件的變形測量需要發(fā)展微納米力學(xué)實驗方法。數(shù)字散斑相關(guān)方法具有非接觸、全場測量和靈敏度高等優(yōu)點,與高分辨率設(shè)備相結(jié)合可以進行微納米尺度的變形測量,但是要求試件表面必須具有清晰可辨的微納米散斑圖案。
目前常用的散斑制作方法多為人工制斑方法,如噴漆法,這種方法得到的散斑顆粒較大,可以通過肉眼識別,僅適用于宏觀試件的宏觀變形測量,無法滿足宏觀試件微觀變形測量和微觀試件(如MEMS)的變形測量要求。S?A?Collette等(S?A?Collette,M?A?Sutton,P?Miney等,Nanotechnology?15(2004)1812-1817)發(fā)展了一種可用于納米級應(yīng)變測量的散斑制作方法,首先將金膜涂在多孔氧化鋁板表面,然后將該板壓入聚合物試件中,將氧化鋁板溶解從而使得金膜遺留在試件表面,但是這種方法僅適用于可以軟化的聚合物材料,適用范圍較小,而且難以控制散斑的尺寸。W.A.Scrivens等(W.A.Scrivens?&?Y.Luo?&?M.A.Sutton等,ExperimentalMechanics(2007)47:63-77)等發(fā)展了兩種可用于微納米量級應(yīng)變測量的散斑制作方法,一種是化學(xué)氣相沉積方法制作納米級散斑,另一種是紫外線光刻方法制作微米級散斑,這兩種方法都屬于化學(xué)方法,前者需要鍍膜和加溫,后者需要掩模板及鍍膜、甩膠、曝光、顯影、定影等步驟,且兩者都不易定量調(diào)節(jié)散斑的尺寸。專利200810101918.X提出利用電子束曝光制作高溫微米尺度散斑的方法,該方法包括鍍膜、甩膠、曝光、顯影、定影等步驟,雖然可以控制散斑的尺寸和面積,但制作過程較為繁冗復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種在聚焦離子束這一成熟商品儀器環(huán)境下,直接在試件表面制作微納米尺度散斑的方法。該方法無需掩模板和光刻膠,無溫度要求,在常溫下即可進行,操作簡單,可以在試件表面制作出可變大小和可變面積的散斑,適用于不同材料的微納觀變形行為的研究。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
1.一種制作微納米尺度散斑的方法,其特征在于該方法包括如下步驟:
1)利用計算機軟件生成多幅顆粒大小和數(shù)目各不相同的模擬散斑圖,根據(jù)圖像子區(qū)灰度梯度平方和選擇出最佳模擬圖,將該散斑圖轉(zhuǎn)化為二值圖;
2)進行標定實驗:將標定試件平放在聚焦離子束系統(tǒng)的載物臺上,選定某一放大倍數(shù),預(yù)設(shè)置束流強度和刻蝕時間,根據(jù)得到的二值圖對標定試件表面進行刻蝕,觀察該散斑圖案是否清晰,如果不清晰則調(diào)整束流強度和刻蝕時間,直至觀察到清晰的圖案結(jié)構(gòu)為止,記錄選定放大倍數(shù)下的束流強度、刻蝕時間和視場面積;多次調(diào)整放大倍數(shù),得到放大倍數(shù)與束流強度、放大倍數(shù)與刻蝕時間以及放大倍數(shù)與視場面積的標定關(guān)系曲線;
3)根據(jù)被測試件的實際測量面積以及放大倍數(shù)與視場面積的標定關(guān)系曲線,計算被測試件刻蝕散斑所需的放大倍數(shù),然后根據(jù)所需的放大倍數(shù)得到束流強度和刻蝕時間;
4)將被測試件平放在聚焦離子束系統(tǒng)的載物臺上,根據(jù)步驟3)計算得到的被測試件刻蝕散斑所需的放大倍數(shù)、束流強度和刻蝕時間,調(diào)整好聚焦離子束系統(tǒng),根據(jù)步驟1)中得到的二值圖進行刻蝕,最終在被測試件表面得到所需尺寸的散斑結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的被測試件采用硅片、玻璃、金屬、半導(dǎo)體或聚合物材料。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點及突出性效果:散斑的制作過程在聚焦離子束系統(tǒng)這一成熟商品儀器中完成;制作散斑的工藝相對簡單靈活,無需掩模板和光刻膠,無溫度要求;散斑大小可變、面積可變,為數(shù)字圖像相關(guān)方法用于微納米變形測量提供了前提。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的操作流程圖。
圖2模擬散斑圖。
圖3為經(jīng)二值化處理的散斑圖。
圖4放大倍數(shù)與視場邊長關(guān)系曲線。
具體實施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步說明。
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