[發明專利]用于形成金屬柵極晶體管的方法

有效

• 申請號: 201010138530.4
• 申請日: 2010-03-16
• 公開（公告）號: CN101901762A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 葉明熙;林舜武;歐陽暉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 高雪琴

1.一種用于清洗襯底上方的金屬柵極晶體管的柵極介電層上方的擴散勢壘的方法，所述方法包括：

用第一溶液清洗所述擴散勢壘，所述第一溶液包括至少一種表面活性劑，所述第一溶液的所述表面活性劑的量約為臨界膠束濃度(CMC)以上；以及

用第二溶液清洗所述擴散勢壘，所述第二溶液具有物理力以去除所述擴散勢壘上方的顆粒，其中，所述第二溶液基本不與所述擴散勢壘互相作用。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一溶液和所述第二溶液是相同的溶液。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，用所述第一溶液清洗所述擴散勢壘能夠去除有機殘留物和聚合物中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面活性劑選自由陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩親性表面活性劑、非離子表面活性劑和任何它們的組合所組成的組。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面活性劑的量在約0.0001wt.％和約1wt.％之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，用所述第一溶液清洗所述擴散勢壘包括：

以從約0.5公升/分鐘到約4公升/分鐘的流速來分散所述第一溶液；以及

以從約500RPM到約800RPM的速度旋轉所述襯底。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，用所述第二溶液清洗所述擴散勢壘包括噴淋清洗、超聲波清洗或它們的組合，所述噴淋清洗包括：

提供具有流速在約40cc/分鐘和約200cc/分鐘之間的去離子水；

注入具有流速在約10公升/分鐘和約100公升/分鐘之間的惰性氣體，以生成物理力來去除顆粒；以及

以從約500RPM到約1000RPM的速度旋轉所述襯底。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述擴散勢壘不經受SC1工藝和SC2工藝中的至少一個。

9.一種用于形成金屬柵極晶體管的方法，所述方法包括：

在襯底上的柵極介電層上方的擴散勢壘的上方形成偽柵極，在所述偽柵極周圍具有絕緣介電層，至少一個摻雜區域與所述偽柵極相鄰；

去除所述偽柵極以露出所述擴散勢壘；

用包括至少一種表面活性劑的第一溶液清洗所述擴散勢壘，所述第一溶液的表面活性劑的量約為臨界膠束濃度(CMC)以上；

用第二溶液清洗所述擴散勢壘，所述第二溶液具有物理力以去除所述擴散勢壘上方的顆粒，其中，所述第二溶液基本不與所述擴散勢壘互相作用；以及

此后，在所述擴散勢壘的上方形成第一金屬柵極層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述表面活性劑選自由陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩親性表面活性劑、非離子表面活性劑和任何它們的組合所組成的組，所述表面活性劑的量在約0.0001wt.％和約1wt.％之間。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，用所述第一溶液清洗所述擴散勢壘包括：

以從約0.5公升/分鐘到約4公升/分鐘的流速來分散所述第一溶液；以及

以從約500RPM到約800RPM的速度旋轉所述襯底。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，用所述第二溶液清洗所述擴散勢壘包括噴淋清洗工藝、超聲波清洗工藝或它們的組合，所述噴淋清洗包括：

提供具有流速在約40cc/分鐘和約200cc/分鐘之間的去離子水；

注入具有流速在約10公升/分鐘和約100公升/分鐘之間的惰性氣體，以生成物理力來去除顆粒；以及

以從約500RPM到約1000RPM的速度旋轉所述襯底。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第一溶液和所述第二溶液是相同的溶液，用所述第一溶液清洗所述擴散勢壘能夠去除有機殘留物和聚合物中的至少一種，所述擴散勢壘不經受SC1工藝和SC2工藝中的至少一個。