[發明專利]用于襯底處理腔室的工藝配件

有效

• 申請號: 201010138516.4
• 申請日: 2008-01-29
• 公開（公告）號: CN101787519A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 克里斯托夫·M·帕夫洛夫;伊揚·理查德·洪
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01J37/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種在襯底處理腔室中的沉積環周圍放置的蓋環，所述沉積環位于腔 室中的襯底支架和圓柱護板之間，并且所述蓋環包含：

(a)環形楔，其包含圍繞所述襯底支架的傾斜頂表面，所述傾斜頂表面 具有內部和外部外圍、所述傾斜頂表面的外部外圍周圍的球形隆凸、從所述傾 斜頂表面向下延伸以放置在所述沉積環上的基腳，以及在所述傾斜頂表面的內 部外圍周圍的凸起邊，所述環形楔的所述傾斜頂表面以至少15度的角度徑向 向內傾斜；以及

(b)從所述環形楔向下延伸的內部和外部圓柱帶，所述內部帶的高度小 于所述外部帶。

2.根據權利要求1所述的蓋環，其特征在于，所述球形隆凸包含橢圓圓 周表面，且所述橢圓圓周表面與所述圓柱護板形成間隙。

3.根據權利要求2所述的蓋環，其特征在于，所述間隙包括S型曲徑。

4.根據權利要求1所述的蓋環，其特征在于，所述蓋環能被提升和降低， 以關于所述襯底處理腔室中的襯底支架而調整所述蓋環的高度。

5.根據權利要求1所述的蓋環，其特征在于，所述蓋環包含鈦。

6.根據權利要求5所述的蓋環，其特征在于，所述鈦包含至少99.9％的 純度。

7.根據權利要求1所述的蓋環，其特征在于，所述內部和外部圓柱帶基 本垂直。

8.根據權利要求1所述的蓋環，其特征在于，包含具有雙線鋁電弧噴涂 涂層的暴露表面。

9.根據權利要求1所述的蓋環，其特征在于，所述蓋環至少部分覆蓋所 述沉積環以減少所述沉積環或所述襯底支架上的沉積。

10.根據權利要求1所述的蓋壞，其特征在于，所述蓋環由設置在所述沉 積環上的壁架支撐。

11.一種放置在襯底處理腔室中的濺射靶和襯底支架周圍的工藝配件，所 述工藝配件包括：

(a)圍繞所述濺射靶的護板，所述護板包含：

(1)圍繞所述濺射靶和襯底支架的圓柱帶；

(2)從所述圓柱帶徑向向外延伸的支撐壁架；

(3)在所述支撐壁架下方并且從所述圓柱帶徑向向內延伸的傾斜階 梯；以及

(4)U型溝道，其接合到所述傾斜階梯并且圍繞所述襯底支架，該U 型溝道包含第一和第二腿部件，所述第一腿部件具有多個氣孔，從而使工 藝氣體以升高的氣體傳導經過所述氣孔；

(b)根據權利要求1到10任一所述的在所述襯底支架周圍的蓋環；以及

(c)支撐所述蓋環的沉積環。

12.一種襯底處理腔室，包括：

(a)濺射靶，其用于將濺射材料沉積到襯底上；

(b)圍繞所述濺射靶和襯底支架的護板，所述護板包含：

(1)圍繞所述濺射靶和襯底支架的圓柱帶；

(2)從所述圓柱帶徑向向外延伸的支撐壁架；

(3)在所述支撐壁架下方并且從所述圓柱帶徑向向內延伸的傾斜階 梯；以及

(4)U型溝道，其接合到所述傾斜階梯并且圍繞所述襯底支架，該 U型溝道包含第一和第二腿部件，所述第一腿部件具有多個氣孔，從而 使工藝氣體以升高的氣體傳導經過；

(c)設置在所述襯底支架周圍的根據權利要求1到11中任一所述的蓋環；

(d)支撐所述蓋環的沉積環；所述沉積環包含放置在所述底座的容納表 面上的圓盤和圍繞所述圓盤的環形楔，所述環形楔包含從所述環形楔向內延伸 的圓柱帶，以及放置在所述底座上的基腳；

(e)氣體分配器，用以將氣體引入到所述腔室中；

(f)氣體激發器，以激發氣體，從而形成等離子體，以濺射所述濺射靶； 以及

(g)排氣裝置，以從所述腔室排出氣體。