[發明專利]一種利用低頻磁通信的射頻SIM卡啟動交易的距離門限判斷方法

有效

• 申請號: 201010138494.1
• 申請日: 2010-04-02
• 公開（公告）號: CN102215051A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 蔣宇
• 申請（專利權）人: 國民技術股份有限公司
• 主分類號: H04B5/00
• 分類號: H04B5/00;G06K7/00;G07F7/08
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本發明涉及通信領域，尤其涉及一種利用低頻磁通信的射頻SIM卡啟動交易的距離門限判斷方法。

背景技術

隨著移動通信技術的普及，移動通信終端逐漸走入大眾的日常生活，而移動通信終端中的SIM(Subscriber?Identity?Model，用戶身份模塊)卡，作為移動通信終端的重要組成部分而被廣泛地使用。隨著技術的不斷發展，為了滿足用戶不斷提高的移動通信終端使用體驗需求，具備多種新功能的SIM卡被開發并投入使用，低頻磁通信射頻SIM卡就是其中的一例。

低頻磁通信射頻SIM卡是具有低頻磁通信以及射頻通信功能的SIM卡，包括卡體及卡體內的集成電路。低頻磁通信射頻SIM卡的卡體上設置可與移動通信終端匹配的SIM卡接口，卡體內的集成電路包括中央處理器CPU、與該中央處理器CPU電連接的低頻磁感應電路和低頻磁信息接收模塊、與該中央處理器CPU電連接的SIM卡存儲器、射頻收發電路和接口電路，以及與射頻收發電路電連接的射頻收發天線。低頻磁通信射頻SIM卡通過自身的接口電路及卡體上的SIM卡接口與移動通信終端電連接。低頻磁通信射頻SIM卡不僅能夠與移動通信終端通信以實現普通SIM卡的功能，還能夠通過低頻磁感應電路及低頻磁信息接收模塊、射頻收發電路和接口電路與配套的外部處理裝置(例如讀卡器)進行近距離通信。近距離通信過程和內容由低頻磁通信射頻SIM卡內的中央處理器CPU具體處理。

低頻磁通信射頻SIM卡多用于移動電話，除具備常規SIM卡的所有功能，還可以讓移動電話具有諸如公交乘車卡、門禁通信卡、信用卡、小額支付卡、考勤卡等智能卡的功能，而且各種智能卡的使用過程中產生的信息能夠直接在移動電話的屏幕上顯示，用戶通過移動電話的鍵盤來完成各項操作。

當低頻磁通信射頻SIM卡作為公交乘車卡、門禁通信卡、信用卡、小額支付卡、考勤卡等智能卡使用時，為了避免誤讀卡操作和錯讀卡操作，安裝該低頻磁通信射頻SIM卡的移動通信終端能夠與讀卡器進行有效數據傳輸的距離、即啟動交易的距離必須控制在一定的范圍內，且SIM卡進入交易區域內，啟動交易速度不應過慢，否則將影響用戶使用效果。

如何最大程度地提高啟動交易距離的可靠性，同時克服由于低頻交變磁場通信速率低造成的低頻磁通信射頻SIM卡在使用時，需要較長時間地接收低頻磁場信息導致的啟動交易時間偏長的問題，同時盡可能減短用戶的交易時間，對于實現低頻磁通信射頻SIM卡的應用是十分重要和迫切的。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種利用低頻磁通信的射頻SIM卡啟動交易的距離門限判斷方法，縮短低頻磁通信射頻SIM卡的啟動交易時間，同時減少用戶刷卡時間，提升用戶體驗。

為解決上述技術問題，本發明提出了一種利用低頻磁通信的射頻SIM卡啟動交易的距離門限判斷方法，所述射頻SIM卡通過低頻通道與其對應的讀卡器進行近距離通信的距離控制，通過射頻通道與所述讀卡器進行交易，所述利用低頻磁通信的射頻SIM卡啟動交易的距離門限判斷方法包括：

步驟a，設置第一門限為啟動交易的距離對應的低頻磁場強度值，第二門限為低頻磁場有效通信距離對應的低頻磁場強度值，第三門限為最遠交易距離對應的低頻磁場強度值，所述第一門限大于或等于第三門限，所述第三門限大于或等于第二門限；

步驟b，射頻SIM卡不斷對讀卡器發出的低頻磁場強度進行檢測，判斷該低頻磁場強度是否大于或等于所述第二門限，若是則接收并存儲低頻磁場信息；

步驟c，射頻SIM卡進一步判斷讀卡器發出的低頻磁場強度是否大于或等于所述第一門限，若是則射頻SIM卡啟動交易流程；

步驟d，在所述交易流程中，射頻SIM卡檢測讀卡器發出的低頻磁場強度并判斷其是否小于所述第三門限，若是則中斷本次交易。

進一步地，上述方法還可具有以下特點，所述步驟a中，所述第一門限、第二門限和第三門限的確定步驟為：

A.通過實驗，使用射頻SIM卡測量與該射頻SIM卡配套的讀卡器發射的低頻磁場強度，確定低頻磁場強度與距離的對應關系，并建立低頻磁場強度與距離的對應表；

B.對照低頻磁場強度與距離的對應表，根據啟動交易距離的要求，設置啟動交易的距離對應的低頻磁場強度值為第一門限；根據低頻磁場通信速率，結合射頻SIM卡應用中需要低頻磁場傳輸的數據量，計算出低頻磁場有效通信距離，并設置低頻磁場有效通信距離對應的低頻磁場強度值為第二門限；根據最遠交易距離控制的要求，設置最遠交易距離對應的低頻磁場強度值為第三門限。