[發明專利]半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板及制造方法

有效

• 申請號: 201010138373.7
• 申請日: 2010-03-30
• 公開（公告）號: CN102207654A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 王文銓;王文哲;宋偉廉
• 申請（專利權）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步驟：

形成一公共電極圖案于一基板上，并在所述基板上劃分為一反射區以及一穿透區；

形成一閘極電極以及一電容電極，并同時形成多個第一凸塊于所述反射區上；

形成一閘絕緣層連續覆蓋于所述閘極電極、所述電容電極以及所述第一凸塊于所述基板上；

形成一半導體層圖案于所述閘絕緣層上且對應所述閘極電極，并同時形成多個第二凸塊于所述閘絕緣層上且對應所述第一凸塊；

形成一源極圖案以及一汲極圖案于所述半導體層圖案上，并同時形成多個第三凸塊于所述第二凸塊上；

形成一第一絕緣層圖案，以覆蓋所述半導體層圖案、所述源極圖案、所述汲極圖案上以及所述反射區上的所述第二凸塊及所述第三凸塊上，并曝露出一電容電極接觸孔；

形成一反射電極圖案以覆蓋于所述反射區上的所述第一絕緣層圖案，且通過所述電容電極接觸孔接觸于所述電容電極；

形成一第二絕緣層圖案，以覆蓋所述反射電極圖案并曝露出一汲極接觸孔；以及

形成一梳狀像素電極圖案，以覆蓋所述第二絕緣層圖案上并通過所述汲極接觸孔接觸于所述汲極圖案，同時覆蓋于穿透區，并且形成多個第四凸塊于第二絕緣層圖案上且對應于所述第三凸塊。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成一閘極電極以及一電容電極，并同時形成多個第一凸塊于所述反射區上的步驟中又包含同時形成一閘極緩沖圖案覆蓋于所述穿透區上。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述形成一閘絕緣層連續覆蓋于所述閘極電極、所述電容電極以及所述第一凸塊于所述基板上的步驟中又包含所述閘絕緣層覆蓋于所述閘極緩沖圖案上。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述形成一第一絕緣層圖案，以覆蓋所述半導體層圖案、所述源極圖案、所述汲極圖案上以及所述反射區上的所述第二凸塊及所述第三凸塊上，并曝露出一電容電極接觸孔的步驟中又包含將覆蓋于所述穿透區的所述閘絕緣層移除，曝露出所述閘極緩沖圖案。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述形成一反射電極圖案以覆蓋于所述反射區上的所述第一絕緣層圖案，且通過所述電容電極接觸孔接觸于所述電容電極的步驟中又包含將所述閘極緩沖圖案移除，暴露出位于所述穿透區的所述公共電極圖案。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成一第二絕緣層圖案，以覆蓋所述反射電極圖案并曝露出一汲極接觸孔的步驟中又包含所述第二絕緣層圖案同時覆蓋所述穿透區的所述公共電極圖案。

7.一種半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板，其特征在于，所述半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板包括：

一薄膜晶體管以及一公共電極圖案設置于一基板上，并在所述基板上劃分為一反射區以及一穿透區；

一電容電極以及多個第一凸塊設置于所述公共電極的所述反射區上；

一閘絕緣層覆蓋于所述第一凸塊以及所述公共電極圖案上；

多個第二凸塊設置于所述閘絕緣層上并對應所述第一凸塊；

多個第三凸塊設置于所述第二凸塊上；

一第一絕緣層圖案覆蓋于所述第三凸塊以及所述第二凸塊上；

一反射電極圖案覆蓋于所述反射區上的所述第一絕緣層圖案上，并接觸于所述電容電極；

一第二絕緣層圖案覆蓋于所述反射電極圖案上以及所述公共電極圖案的所述穿透區上；以及

一梳狀像素電極圖案覆蓋于所述第二絕緣層圖案上并接觸于所述薄膜晶體管，同時覆蓋于所述穿透區，并且形成多個第四凸塊于第二絕緣層圖案上且對應于所述第三凸塊。

8.如權利要求7所述的半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板，其特征在于，所述第一凸塊的表面積大于所述第二凸塊的表面積，又所述第二凸塊表面積大于所述第三凸塊的表面積。

9.如權利要求8所述的半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板，其特征在于，所述反射電極圖案的表面是沿著所述第二以及第三凸塊起伏。

10.如權利要求7所述的半穿透半反射的邊緣電場開關型液晶顯示面板，其特征在于，所述反射電極圖案具有與公共電極相同電性。