[發明專利]碳納米管膜的制備方法

有效

• 申請號: 201010138327.7
• 申請日: 2010-04-02
• 公開（公告）號: CN101837968A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 劉亮
• 申請（專利權）人: 北京富納特創新科技有限公司
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82B3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳納米管膜的制備方法，其包括以下步驟：

在一彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底的表面生長一碳納米管陣列；

至少局部展開所述彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底，從而至少局部展開所述碳納米管陣列；

采用一施壓裝置向所述展開部分的碳納米管陣列施加一壓力，使該展開部分的碳納米管陣列中的碳納米管傾倒，從而形成一碳納米管膜。

2.如權利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，在采用所述施壓裝置壓膜之前，將所述彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底整體展開成一平面形狀。

3.如權利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，在采用所述施壓裝置壓膜之前，將所述彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底局部展開成一平面形狀。

4.如權利要求3所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，在采用所述施壓裝置壓膜的過程中，將所述彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底連續地局部展開成平面形狀，以連續地提供平面形狀碳納米管陣列，從而使所述施壓裝置連續地施壓于該平面形狀的碳納米管陣列。

5.如權利要求4所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，在采用所述施壓裝置壓膜之前，進一步將所述曲面形狀的柔性基底沿軸線方向的兩端活動設置在兩個相對且間隔設置的卡槽中。

6.如權利要求5所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，進一步采用一拉伸工具夾持并拉伸所述柔性基底的一自由端，從而使所述柔性基底沿所述卡槽移出并連續地展開。

7.如權利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，當形成所述碳納米管膜之后，卷繞已形成有碳納米管膜的柔性基底。

8.如權利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述局部展開碳納米管陣列，并通過施壓裝置對展開部分的碳納米管陣列施加壓力的方法具體包括以下步驟：

斷續地局部展開所述彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底，從而斷續地局部展開所述碳納米管陣列成一平面形狀；

采用一施壓裝置斷續地對展開部分的碳納米管陣列施加壓力，從而使該展開部分的碳納米管陣列中的碳納米管在所述施壓裝置的壓力的作用下被傾倒，從而形成碳納米管膜。

9.如權利要求8所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述施壓裝置對展開部分的碳納米管陣列施加壓力時，所述面狀柔性基底與碳納米管陣列處于停止狀態。

10.如權利要求8所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述施壓裝置為一壓頭，該壓頭具有一平面表面或一圓柱表面。

11.如權利要求10所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，當所述壓頭具有一平面表面時，通過該壓頭的表面沿垂直于所述展開部分的柔性基底的方向向所述碳納米管陣列施加一壓力。

12.如權利要求11所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，當將所述展開部分的碳納米管陣列壓成一碳納米管膜之后，進一步包括：將所述壓頭抬起，并同時拉伸所述彎曲成曲面形狀的柔性基底，以展開該柔性基底成一平面形狀，從而提供平面形狀的碳納米管陣列；設置該平面形狀的碳納米管陣列于所述壓頭下方，并落下所述壓頭以施壓于該平面形狀的碳納米管陣列。

13.如權利要求10所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，當所述壓頭具有一圓柱表面時，通過該壓頭的圓柱面沿一固定方向或不同方向碾壓所述碳納米管陣列。

14.如權利要求1所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述局部展開碳納米管陣列，并通過施壓裝置對展開部分的碳納米管陣列施加壓力的方法具體包括以下步驟：

連續地展開所述彎曲成曲面形狀的面狀柔性基底，從而連續地局部展開所述碳納米管陣列成一平面形狀；

所述施壓裝置為一具有一圓柱表面的壓頭，使該壓頭的軸線方向與所述展開部分的碳納米管陣列的寬度方向相同，并使該壓頭接觸所述展開部分的碳納米管陣列；及

連續地滾動所述壓頭，使該壓頭連續地施壓于所述不斷展開的碳納米管陣列，從而使該不斷展開的碳納米管陣列中的碳納米管在所述壓頭的壓力作用下被傾倒，從而形成碳納米管膜。

15.如權利要求14所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管傾倒的方向與所述柔性基底的展開方向相反。