[發(fā)明專利]一種自對(duì)準(zhǔn)亞微米柵結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010138226.X
• 申請(qǐng)日: 2010-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN101807597A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅義珠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): H01L29/49
• 分類號(hào): H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.一種自對(duì)準(zhǔn)亞微米柵結(jié)構(gòu)，其特征在于：通過(guò)金屬硅化物將亞微米多晶硅側(cè)墻柵與微米級(jí)多晶硅柵帽子和金屬柵連接而成，其中微米級(jí)多晶硅柵帽子的一側(cè)是亞微米多晶硅側(cè)墻柵，微米級(jí)多晶硅柵帽子上是金屬柵。

2.一種自對(duì)準(zhǔn)亞微米柵結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是該方法包括如下工藝步驟：

A、選擇摻硼硅襯底，電阻率≤0.006Ω·cm；在該襯底上外延高阻p型硅外延層，電阻率1～20Ω·cm，外延層厚度5～15μm；

B、光刻形成背面源注入窗口圖形，注入硼離子形成P⁺，注入劑量6×10¹⁵cm²～8×10¹⁵cm²，能量120～160KeV；

C、注入推進(jìn)：在1100～1150℃的溫度下，通N₂?90～180分鐘；

D、光刻形成漂移區(qū)窗口圖形，注入砷或磷離子形成N-，注入劑量（1～3)×10¹²cm^～2，能量(40～60)KeV；

E、用LPCVD工藝在硅晶圓片表面依次淀積(8000～10000)?二氧化硅和(2000～4000)?摻砷多晶硅；

F、光刻形成有源區(qū)窗口圖形，并刻蝕掉窗口內(nèi)的8000～?二氧化硅和2000～?摻砷多晶硅；

G、柵氧化：在900～1000℃溫度下，氧氣環(huán)境中，氧化生長(zhǎng)400～?氧化層；

H、用LPCVD工藝硅晶圓片表面淀積(3000～6000)?摻砷多晶硅；

I、用RIE回刻硅晶圓片表面淀積(3000～6000)?摻砷多晶硅，形成側(cè)墻多晶硅柵；

J、用LPCVD工藝在硅晶圓片表面淀積?二氧化硅；

K、用RIE回刻硅晶圓片表面淀積?二氧化硅，形成二氧化硅側(cè)墻；

L、溝道注入BF₂⁺，注入劑量3×10¹³cm²～7×10¹³m²，能量50～70KeV；?

M、溝道推進(jìn)，在(1000～1100)℃溫度下，氮?dú)猸h(huán)境中，推進(jìn)(100～200)分鐘，形成溝道P型摻雜區(qū)；

N、光刻并刻蝕(2000～4000)?摻砷多晶硅形成多晶硅帽子；

O、光刻并刻蝕(8000～10000)?二氧化硅形成漏接觸窗口；

P、源漏注入砷離子，注入劑量(5～7)×10¹⁵cm^～2，能量(60～80)KeV，并在(900～960)℃溫度下，氮?dú)猸h(huán)境中，推進(jìn)(10～20)分鐘，形成源和漏接觸區(qū)N⁺；

Q、用LPCVD工藝在硅晶圓片表面分別淀積(4000～6000)?SiO₂和(1000～1500)?氮化硅；

R、用RIE回刻硅晶圓片表面淀積的(4000～6000?SiO₂和(1000～1500)?氮化硅，形成側(cè)墻；

S、在硅晶圓片表面濺射金屬鈷，并在(400～500)℃，氮?dú)猸h(huán)境中退火(30～60)秒，分別在源漏區(qū)硅表面和柵區(qū)多晶硅表面形成金屬硅化物；

T、用LPCVD工藝在硅晶圓片表面分別淀積(4000～6000)?SiO₂；

U、光刻并刻蝕(4000～6000)?SiO₂形成源、柵和漏金屬接觸孔；

V、在硅晶圓片表面濺射Ti(500～1500)?/WN(1000～3000)?/Au(500～1500)?；光刻電鍍區(qū)，選擇電鍍金，鍍層厚度(1.2～2.5)μm；反刻形成金屬電極，即源電極S、柵電極G和漏電極D；

W、采用平面磨床對(duì)硅晶圓片進(jìn)行背面磨片，將硅晶圓片減薄到(80～100)μm；對(duì)硅晶圓片依次進(jìn)行甲苯和丙酮清洗；蒸發(fā)Ti(500～1500)?/Ni(3000～5000)?/Au(3000～5000)?形成下電極，即背面源S。?