[發(fā)明專利]硅麥克風(fēng)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010137929.0
• 申請日: 2010-03-29
• 公開（公告）號: CN101835078A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏毅林;楊斌;張睿;葛舟;孟珍奎;王建民
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅麥克風(fēng)，包括中心設(shè)有空腔的基底、位于基底表面的絕緣層、覆蓋于絕緣層上的振膜，與振膜相對并間隔一定距離的背板，其特征在于：所述振膜的橫截面為橋狀結(jié)構(gòu)，包括與絕緣層相連的橋底部和向背板突起的橋梁部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)，其特征在于：所述橋梁部的直徑大于基底上空腔的直徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅麥克風(fēng)，其特征在于：所述背板包括面向振膜的下表面和與下表面相對的上表面，下表面上設(shè)有面向振膜的突起，上表面上設(shè)有與突起對應(yīng)的凹槽。

4.一種如權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

a、提供一硅基底，硅基底表面上設(shè)置第一絕緣層；

b、在第一絕緣層上設(shè)置膜定義層，除去其邊緣部，得到所需直徑的膜定義層；

c、在第一絕緣層和膜定義層上沉積膜電極層；

d、在膜電極層上沉積犧牲層；

e、再次沉積第二絕緣層；

f、在第二絕緣層上沉積背板層；

g、利用光刻膠在硅基底上進(jìn)行蝕刻，以形成空腔。

h、釋放背腔上部的第一絕緣層和犧牲層。

i、釋放膜定義層，得到“橋”式結(jié)構(gòu)的振膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于：所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料為二氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于：在犧牲層上利用光刻形成若干凹槽，第二絕緣層沉積入凹槽形成凹孔，再使部分背板沉積入凹孔以在背板層形成朝向膜電極層的突起。