[發明專利]半導體部件的陽極氧化工藝無效
| 申請號： | 201010137890.2 | 申請日： | 2010-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN102212857A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發明（設計）人： | 劉浩偉 | 申請（專利權）人： | 上海禹錦半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C25D11/02 | 分類號： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 上海天翔知識產權代理有限公司 31224 | 代理人： | 呂伴 |
| 地址： | 201302 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 部件 陽極 氧化 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.半導體部件的陽極氧化工藝，其特征在于，所述陽極氧化工藝通過調整陽極氧化過程中電流密度值來得到相應的膜層。
2.根據權利要求1所述的半導體部件的陽極氧化工藝，其特征在于，所述電流密度值共分為五個連續的時間段進行調整，每個時間段內電流密度值進行臺階式的提高，從而完成電流密度值的調整。
3.根據權利要求2所述的半導體部件的陽極氧化工藝，其特征在于，所述第一時間段內每過1.5min增加電流密度值0.10A/dm2；所述第二時間段內每過1.5min增加電流密度值0.15A/dm2，所述第三時間段內每過1.5min增加電流密度值0.25A/dm2，所述第四時間段內每過1.5min增加電流密度值0.30A/dm2，所述第五時間段內每過1.5min增加電流密度值0.30A/dm2。
4.根據權利要求2或3所述的半導體部件的陽極氧化工藝，其特征在于，所述每個時間段內共進行五次電流密度值調整。
5.根據權利要求3所述的半導體部件的陽極氧化工藝，其特征在于，所述第一時間段內電流密度值的起始值為0.10A/dm2。
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