[發明專利]一種超高密度有序的磁性納米顆粒復合薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 201010137810.3 | 申請日: | 2010-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN101787522A | 公開(公告)日: | 2010-07-28 |
| 發明(設計)人: | 李愛東;孔繼周;龔佑品;張俊龍;吳迪 | 申請(專利權)人: | 南京大學 |
| 主分類號: | C23C16/30 | 分類號: | C23C16/30;C23C16/56 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210093*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超高 密度 有序 磁性 納米 顆粒 復合 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種超高密度有序的磁性納米顆粒復合薄膜的制備方法,其特征在于包括以下 步驟:
1)首先制備FePt/CoPt超順磁納米顆粒;
2)自組裝含有的FePt/CoPt超順磁納米顆粒的非磁性襯底,在非磁性襯底上形成六 角密堆積的單層FePt/CoPt納米顆粒的有序點陣;
3)將上述襯底放入原子層沉積反應室中,采用原子層沉積技術在包含單層FePt/CoPt 納米顆粒膜的襯底表面生長一層10~30納米的無機非磁性基體薄膜保護層;
4)將沉積有超順磁相FePt/CoPt納米顆粒與無機非磁性基體薄膜保護層的襯底放于 管式擴散爐中,在90~97%Ar和10~3%H2的還原性氣氛中,于600~750℃高溫條 件下,退火30~90分鐘,獲得鐵磁相FePt/CoPt磁性納米顆粒復合薄膜。
2.根據權利要求1所述的超高密度有序的磁性納米顆粒復合薄膜的制備方法,其 特征在于步驟2)所述的非磁性襯底為Si、SiO2、MgO或NaCl。
3.根據權利要求1或2所述的超高密度有序的磁性納米顆粒復合薄膜的制備方法, 其特征在于步驟2)的自組裝過程采用滴片法或甩膠法。
4.根據權利要求3所述的超高密度有序的磁性納米顆粒復合薄膜的制備方法,其 特征在于滴片法的具體步驟為:首先配制己烷/辛烷的混合液,混合液中己烷/辛烷的體 積比為1/1.5~1/3,再將步驟1)得到的FePt/CoPt納米顆粒分散到混合液中,此時的混 合液含FePt/CoPt納米顆粒濃度為1~5mg/mL;再將1.0×1.0或1.5×1.5平方厘米的非磁 性襯底清洗干凈,除去襯底表面的油脂;利用滴片法制備FePt/CoPt超順磁納米顆粒的 有序陣列;滴片或甩膠后,襯底需在60~80℃下保持30~60分鐘,確保溶劑完全揮 發。
5.根據權利要求1或2所述的超高密度有序的磁性納米顆粒復合薄膜的制備方法, 其特征在于步驟4)中無機非磁性基體薄膜保護層為Al2O3或SiO2薄膜保護層;當沉積 Al2O3薄膜保護層時,采用Al(CH3)3和H2O作為反應源,沉積SiO2薄膜保護層采用SiCl4和H2O作為反應源,源溫為室溫,金屬源和水源的脈沖都為0.1~0.4s;每次金屬源脈 沖之后,都緊接著用高純氮氣清洗1~10s,沖掉反應副產物和殘留的反應源。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





