[發(fā)明專利]溝槽的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010136692.4
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN102201371A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倪景華;吳金剛;金正起;南基旭
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/311;H01L21/306
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種溝槽的制造方法，該方法包括：

在摻雜的硅襯底沉積氮化硅層，再沉積氧化物層，采用光刻工藝和刻蝕工藝依次刻蝕氧化物層、氮化硅層及摻雜的硅襯底，形成溝道上半部分；

在溝道上半部分和氧化物層表面沉積非金屬硅化物層；

以圖案化的氧化物層為掩膜，刻蝕掉溝道上半部分底部的非金屬硅化物層，繼續(xù)刻蝕摻雜的硅襯底，得到溝道，形成溝道上半部分的非金屬硅化物層側(cè)壁；

以溝道上半部分的非金屬硅化物層側(cè)壁為掩膜，采用濕法刻蝕溝道，擴(kuò)寬溝道的下半部，形成溝槽；

去除非金屬硅化物層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝道上半部分為溝道的1/5～1/3。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積的氧化物層的厚度保證所述形成溝道時不損傷氮化硅層表面。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成溝道上半部分采用氟碳化合物化學(xué)氣體進(jìn)行干法刻蝕得到。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積的非金屬硅化物層厚度保證所述溝道下半部擴(kuò)寬時，所保護(hù)的溝道上半部分不會被刻蝕。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積的非金屬硅化物采用低壓氣懸有機(jī)化學(xué)氣相沉積LP或高速原子層沉積ALD工藝進(jìn)行。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述得到溝道采用氟碳化合物化學(xué)氣體進(jìn)行干法刻蝕。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除非金屬硅化物層采用干法刻蝕。