[發明專利]硫族化物恒流器件及其制造方法與動作

有效

• 申請號: 201010136481.0
• 申請日: 2004-03-12
• 公開（公告）號: CN101807666A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: K·A·坎普貝爾;T·L·吉爾頓;J·T·穆爾;J·F·布魯克斯
• 申請（專利權）人: 微米技術有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C27/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 湯春龍;王忠忠

1.一種改變兩端硫族化合物恒流器件的恒定電流值的方法，所 述方法包括：

設置包含第一和第二電極的所述恒流器件，其中至少一個電極具 有比另一電極低的電位，且其中所述恒流器件具有第一恒定電流值； 以及

給具有較低電位的電極施加足以使所述第一和第二電極之間的 電位差在量值上至少等于所述恒流器件的負閾值電壓的電壓，以將第 一恒定電流值改變到第二恒定電流值。

2.權利要求1中的方法，其中：所述施加的電壓是比所述器件 的所述恒定電流值的電壓范圍上限值更負的電壓。

3.權利要求2中的方法，其中：所述施加的電壓是所述恒流器 件的擊穿電壓。

4.權利要求3中的方法，其中：所述擊穿電壓在-800mV至- 2.0V的范圍內施加。

5.權利要求4中的方法，其中：所述擊穿電壓在8ns至30ns的 脈寬范圍內施加。

6.一種增加兩端硫族化合物恒流器件的恒定電流值的幅值的 方法，所述方法包括：

在兩個電極之間設置所述恒流器件，其中所述電極中的一個具有 比另一電極低的電位；以及

對所述恒流器件給具有較低電位的電極施加負電位；以及

將與所述被施加負電位的幅值相同或小的重復脈沖施加到所述 器件，從而進一步增加所述器件的恒定電流值的幅度。

7.一種增加兩端硫族化合物恒流器件的恒定電流值的幅值的 方法，所述方法包括：

在兩個電極之間設置所述恒流器件，其中所述電極中的一個具有 比另一電極低的電位；以及

對所述恒流器件給具有較低電位的電極施加負電位，其中所述施 加的負電壓導致所述器件中更負的恒定電流值。

8.一種減小兩端硫族化合物恒流器件的恒定電流值的幅度的方 法，所述方法包括：

在兩個電極之間設置恒流器件，其中至少一個電極具有比另一電 極低的電位；

對所述恒流器件給具有較低電位的電極施加正電壓，其中所述被 施加正電壓比所述器件的負閾值電壓更正。

9.權利要求8中的方法，其中：把與所述被施加正電壓的幅度 相同或小些的重復脈沖施加到所述器件，從而進一步減小所述器件的 恒定電流值的幅度。

10.權利要求8中的方法，其中：所述被施加正電壓導致所述器 件中更正的恒定電流值。