[發明專利]超導器件/材料的光/電磁波調制方法和裝置

無效

• 申請號: 201010136016.7
• 申請日: 2010-03-29
• 公開（公告）號: CN102208231A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 李強
• 申請（專利權）人: 田多賢
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B12/00
• 代理公司: 北京金恒聯合知識產權代理事務所 11324
• 代理人: 李強

1.化合物制造方法，包括：

在化合物中形成一個能帶系統，該能帶系統包括一個上能帶和位于所述上能帶下方的一個下能帶，所述上能帶和所述下能帶之間為禁帶，

其特征在于：

所述上能帶的底部(E_j1)與所述下能帶的頂部(E_i1)的能量差小于hv_M，其中v_M是該化合物中的聲子振動模的最大頻率，其中h是普朗克常數。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于

所述上能帶的底部(E_j1)與所述下能帶的頂部(E_i1)的能量差等于或略小于hv_M。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于

上述上能帶為受主摻雜能帶，上述下能帶為價帶，且

通過施主摻雜在所述受主摻雜能帶之上形成一個施主摻雜能帶，

所述施主摻雜能帶中的能級數少于所述受主摻雜能帶中的能級數且是少量的，

從而使位于所述空穴能帶的底部附近的電子對導電有貢獻。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于

所述下能帶為價帶，

所述上能帶為施主摻雜能帶與受主摻雜能帶重疊或部分重疊或者銜接到了一起而形成的施主+受主摻雜能帶

因此，所述空穴-施主混合能帶中的施主能級數少于受主能級數，且施主能級數是少量的，從而使位于所述空穴-施主混合能帶的底部附近的電子對導電有貢獻。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述下能帶是一個受主摻雜能帶；

所述上能帶是一個施主摻雜能帶；

所述施主摻雜能帶中的能級數目大于該受主摻雜能帶中的能級數目，從而當該施主摻雜能帶中的電子向下躍遷而填滿了該受主摻雜能帶中的所有能級之后，所述施主摻雜能帶上仍然還有剩余的電子；且

所述剩余的電子的數目是“少量”的，從而使位于所述施主摻雜能帶的底部附近的能級上的電子對導電有貢獻。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在根據本發明的上述實施例中，所述下能帶的最高能級E_i1與所述上能帶的最低能級E_j1的距離略小于hv_M，即E_j1-E_i1＝hv_M-Δ且Δ＞0。

上述Δ所對應的能級范圍內有所述上能帶和/或下能帶的多個能級，

上述下能帶是滿的或有極少量的空穴，而上述上能帶則是空的或有極少量的電子。

7.根據權利要求1或的方法，其特征在于：

所述上能帶可以是導帶、受主能帶、施主能帶之一或它們的結合和/或重疊；所述下能帶可以是價帶、受主能帶、施主能帶之一或它們的結合和/或重疊。

8.用根據上述權利要求1或2的方法制成的化合物。

9.根據權利要求8所述的化合物，其特征在于所述化合物為晶體化合物、非晶化合物中的一種。

10.根據權利要求8所述的化合物，所述晶體化合物是離子晶體、共價晶體、合金晶體、離子-共價混合晶體中的一種。