[發(fā)明專利]一種摻雜圖案的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010135822.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102194743A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾煥廷;黃俊憲;黃宏欽;李振偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/312;H01L21/762;H01L21/266;H01L21/8238;G03F1/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種摻雜圖案的制作方法，包含有：

提供一基底，該基底內(nèi)形成有多個(gè)淺溝隔離，且這些淺溝隔離定義并電性隔離多個(gè)具有相同電性的有源區(qū)域；

在該基底上形成一圖案化光阻，且該圖案化光阻包含多個(gè)暴露區(qū)，暴露出這些有源區(qū)域與相鄰有源區(qū)域間的這些淺溝隔離；以及

進(jìn)行一離子注入工藝，透過(guò)該圖案化光阻在該有源區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)摻雜圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中形成這些淺溝隔離的步驟還包含：

提供一淺溝隔離定義圖案，在該基底上定義多個(gè)淺溝隔離區(qū)域；以及

在這些淺溝隔離區(qū)域內(nèi)分別形成該淺溝隔離。

3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其中形成該圖案化光阻的步驟還包含：

提供一預(yù)定摻雜圖案，該預(yù)定摻雜圖案包含多個(gè)第一摻雜阻擋區(qū)與多個(gè)第一摻雜暴露區(qū)；

比對(duì)該預(yù)定摻雜圖案與該淺溝隔離定義圖案；

當(dāng)相鄰的第一摻雜暴露區(qū)中出現(xiàn)該淺溝隔離定義圖案時(shí)合并這些第一摻雜暴露區(qū)，而形成一包含有多個(gè)第二摻雜暴露區(qū)與多個(gè)第二摻雜阻擋區(qū)的校正摻雜圖案；以及

轉(zhuǎn)移該校正摻雜圖案至一光阻層上形成該圖案化光阻。

4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中該校正摻雜圖案形成于一離子注入光掩模上。

5.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中該圖案化光阻的這些暴露區(qū)分別對(duì)應(yīng)于這些第二摻雜暴露區(qū)。

6.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中該圖案化光阻還包含多個(gè)阻擋區(qū)，分別對(duì)應(yīng)于該校正摻雜圖案的這些第二摻雜阻擋區(qū)。

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該離子注入工藝包含N型離子注入工藝或P型離子注入工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該摻雜圖案包含一有源區(qū)域摻雜圖案。

9.一種摻雜圖案的制作方法，包含有：

提供一基底，該基底內(nèi)形成有多個(gè)淺溝隔離，且這些淺溝隔離定義并電性隔離多個(gè)具有相同電性的有源區(qū)域；

利用一導(dǎo)電層定義圖案于這些有源區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)第一導(dǎo)電層圖案與在部分淺溝隔離上形成多個(gè)第二導(dǎo)電層圖案；

在該基底上形成一圖案化光阻，該圖案化光阻包含多個(gè)暴露區(qū)，暴露出這些有源區(qū)域、這些有源區(qū)域內(nèi)的這些第一導(dǎo)電層圖案、與部分相鄰有源區(qū)域間的這些淺溝隔離；以及

進(jìn)行一離子注入工藝，透過(guò)該圖案化光阻于該有源區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)摻雜圖案。

10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中形成這些淺溝隔離的步驟還包含：

提供一淺溝隔離定義圖案，在該基底上定義多個(gè)淺溝隔離區(qū)域；以及

在這些淺溝隔離區(qū)域內(nèi)分別形成該淺溝隔離。

11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其中形成該圖案化光阻的步驟還包含：

提供一預(yù)定摻雜圖案，該預(yù)定摻雜圖案包含多個(gè)第一摻雜阻擋區(qū)與多個(gè)第一摻雜暴露區(qū)；

比對(duì)該預(yù)定摻雜圖案、該淺溝隔離定義圖案與該導(dǎo)電層定義圖案；

當(dāng)相鄰的第一摻雜暴露區(qū)中僅出現(xiàn)該淺溝隔離定義圖案時(shí)合并這些第一摻雜暴露區(qū)，形成多個(gè)第二摻雜暴露區(qū)；以及

當(dāng)相鄰的第一摻雜暴露區(qū)中同時(shí)出現(xiàn)該淺溝隔離定義圖案與該導(dǎo)電層定義圖案時(shí)，形成多個(gè)第二摻雜阻擋區(qū)。

12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中該圖案化光阻的這些暴露區(qū)分別對(duì)應(yīng)于這些第二摻雜暴露區(qū)。

13.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中該圖案化光阻還包含多個(gè)阻擋區(qū)，分別對(duì)應(yīng)于該校正摻雜圖案的這些第二摻雜阻擋區(qū)。

14.如權(quán)利要求13所述的制作方法，其中這些阻擋區(qū)覆蓋這些第二導(dǎo)電層圖案與部分這些淺溝隔離。

15.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中該離子注入工藝包含N型離子注入工藝或P型離子注入工藝。

16.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中該摻雜圖案包含一輕摻雜漏極摻雜圖案或一源極/漏極摻雜圖案。