[發明專利]發光器件、發光器件封裝及包括發光器件封裝的照明系統

有效

• 申請號: 201010135738.0
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN101834244A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 金鮮京
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/48;H01L25/13;F21S2/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

相關申請

本申請要求2009年3月10日提交的韓國專利申請10-2009-0020193的優先權，通過引用將其全部內容并入本文。

技術領域

本發明涉及發光器件、發光器件封裝以及包括所述發光器件封裝的照明系統。

背景技術

發光器件是已知的。然而，它們存在各種缺點。

發明內容

根據本發明的一個實施方案，提供一種發光器件，包括：電極層；設置在所述電極層上的介電圖案；和設置在所述介電圖案上的包括第一半導體層、有源層和第二半導體層的發光結構，其中在所述介電圖案上設置的所述第一半導體層的一部分的底部與所述有源層之間的距離為約5×λ/n或更小，其中λ是所述有源層的中心波長，n是所述發光結構的折射率。

根據本發明的另一個實施方案，提供一種發光器件，包括：電極層；設置在所述電極層上的介電圖案；和設置在所述介電圖案上的包括第一半導體層、有源層和第二半導體層的發光結構，其中在所述介電圖案上的所述第一半導體層中設置的圖案的底部與所述有源層之間的距離是約5×λ/n或更小，其中λ是所述有源層的中心波長，n是所述發光結構的折射率。

在一個實施方案中，所述第一半導體層包括第一導電型半導體層。

在一個實施方案中，在所述介電圖案上設置有凹陷圖案。

在一個實施方案中，所述凹陷的水平寬度大于單模式傳輸條件λ/n。

在一個實施方案中，發光器件還包括在所述凹陷圖案的側表面上的絕緣層。

在一個實施方案中，發光器件還包括在所述凹陷圖案上的粗糙結構圖案或周期性不平坦圖案。

在一個實施方案中，發光器件還包括在所述凹陷圖案的側表面上的反射層。

在一個實施方案中，在所述介電圖案上設置有圓柱體圖案。

在一個實施方案中，所述圓柱體的水平寬度大于單模式傳輸條件λ/n。

在一個實施方案中，發光器件還包括在所述圓柱體圖案的側表面上的絕緣層。

在一個實施方案中，發光器件還包括在所述圓柱體圖案上的粗糙結構圖案或周期性不平坦圖案。

在一個實施方案中，發光器件還包括在所述圓柱體圖案的側表面上的反射層。

在一個實施方案中，所述電極層包括：歐姆層；反射層；和襯底。

根據本發明的一個實施方案，提供一種發光器件(LED)封裝，包括：根據前述實施方案所述的LED；和容納所述LED的封裝體。

根據本發明的一個實施方案，提供一種包括發光模塊的照明系統，所述發光模塊包括根據前述實施方案所述的發光器件(LED)封裝。

附圖說明

將參考以下附圖詳細描述實施方案，附圖中相同的附圖標記表示相同的要素，其中：

圖1是根據一個實施方案的發光器件的截面圖；

圖2是根據另一個實施方案的發光器件的截面圖；

圖3是說明在在諧振腔結構下施加光源的情況下和在對整個有源層區域施加光源的情況下的光提取效率的變化圖。

圖4～10是說明根據一個實施方案的制造發光器件的方法的截面圖；和

圖11A-13B是根據其它實施方案的發光器件的截面圖。

圖14是根據一個實施方案的LED封裝的截面圖。

圖15是根據一個實施方案的照明單元的透視圖；

圖16是根據一個實施方案的背光單元的分解透視圖。

具體實施方式

以下，將參考附圖詳細地描述根據實施方案的發光器件、發光器件封裝和包括該發光器件封裝的照明系統。在可能的情況下，相同的附圖標記用于表示相同的要素。

在實施方案的描述中，應理解當層(或膜)稱為在另一層或襯底“上”時，其可直接在所述另一層或襯底上，也可存在中間層。此外，應理解當層被稱為在另一層“下”時，其可以直接在所述另一層下，也可存在一個或多個中間層。另外，也應理解當層稱為在兩層“之間”時，其可以是在所述兩層之間僅有的層，或也可存在一個或更多個中間層。

氮化物半導體由于其高熱穩定性和寬能帶隙所以在光學器件和高功率電子器件領域中得到很多關注。特別地，使用氮化物半導體的藍色LED、綠色LED和UV?LED已經商業化并得到廣泛應用。

發光器件的效率可分為外部量子效率和內部量子效率。外部量子效率指的是有源層產生的光發射到器件外部的概率。由于半導體層和背景材料例如空氣或環氧樹脂之間折射率的差異，導致外部量子效率的值受限于全反射。